近日，國內(nèi)新型存儲器制造商中天弘宇在首款小容量NOR Flash產(chǎn)品量產(chǎn)后，又推出了容量更大的第二代產(chǎn)品，已進入流片環(huán)節(jié)，預(yù)期5月中旬進行首次MPW流片。

據(jù)供應(yīng)鏈透露，中天弘宇的新產(chǎn)品將采用28nm制程，單個顆粒的設(shè)計存儲容量將達至2GB以上，相較之下，業(yè)界現(xiàn)行最高水平只有512MB。這標(biāo)志著該公司是否能夠運用“二次電子倍增注入浮柵”原理突破NOR Flash工藝限制，將在這一代產(chǎn)品中得到驗證。

中天弘宇的專家表示，這項技術(shù)創(chuàng)新主要通過在傳統(tǒng)存儲單元上增加縱向電壓，產(chǎn)生二次電子，這些電子在溝道中以倍增的速度快速穿行，并在浮柵上高效聚集，從而實現(xiàn)NOR Flash的小面積、低成本、大容量、低功耗特性。此外，該技術(shù)還兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程。

據(jù)悉，中天弘宇的第二代產(chǎn)品已經(jīng)獲得上海及國家級科研重點項目的立項支持，它的問世有望使我國在NOR Flash領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，同時為各類智能化設(shè)備、自動化裝備提供全新的存儲器解決方案。

據(jù)中天弘宇之前的公開聲明，他們的大容量產(chǎn)品將在無人機機器人等高端電子設(shè)備以及各類邊緣計算智能設(shè)備市場等新興市場提供低成本、高可靠性的單芯片產(chǎn)品。