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臺積電升級4nm N4C工藝,優(yōu)化能效與降低成本

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-26 14:35 ? 次閱讀
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4 月 26 日消息,臺灣半導(dǎo)體龍頭企業(yè)臺積電推出最新 4nm 級別的生產(chǎn)工藝 N4C,旨在降低成本,提高設(shè)計(jì)能效,以此增強(qiáng)現(xiàn)有的 5nm 級別的生產(chǎn)工藝。

在近日舉辦的 2024 年北美技術(shù)研討會上,業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁張凱文發(fā)表講話稱:“盡管我們的 5nm 和 4nm 工藝尚未完全成熟,但從 N5 到 N4 的光學(xué)微縮密度已提升 4%,且晶體管性能仍將持續(xù)加強(qiáng)?!?/p>

此外,他還宣布臺積電將為 4nm 技術(shù)引入 N4C 工藝,使客戶能夠簡化掩模,改良標(biāo)準(zhǔn)單元和 SRAM 等基礎(chǔ) IP 設(shè)計(jì),從而進(jìn)一步降低整體產(chǎn)品級擁有成本。

N4C 工藝是在 N4P 工藝技術(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)行升級,通過重新設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)單元和 SRAM 單元、調(diào)整設(shè)計(jì)規(guī)則及減少掩模層數(shù),與 N4P 相比,成本最高可降低 8.5%。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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