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優(yōu)恩半導(dǎo)體推出一系列適用于高速數(shù)據(jù)信號(hào)ESD和EOS的保護(hù)器件

優(yōu)恩半導(dǎo)體 ? 來源:優(yōu)恩半導(dǎo)體 ? 2024-04-28 14:13 ? 次閱讀
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超低容ESD和EOS系列保護(hù)器件

適用于高速數(shù)據(jù)信號(hào)

體積小

電容值低

VC殘壓低

適用電頻信號(hào)范圍廣

能夠同時(shí)保護(hù)8路信號(hào)的共模及差模

作為業(yè)界領(lǐng)先的保護(hù)器件供應(yīng)商,優(yōu)恩半導(dǎo)體一直致力于為客戶提供高性能保護(hù)器件及可靠的保護(hù)解決方案。針對高速數(shù)據(jù)信號(hào)接口,推出一系列超低容ESD和EOS保護(hù)器件,采用先進(jìn)的工藝技術(shù),為市場提供了豐富的產(chǎn)品選擇,我們的保護(hù)器件具有多項(xiàng)優(yōu)勢,包括體積小、集成度高、適用電頻信號(hào)范圍廣和VC殘壓低等特點(diǎn),已經(jīng)在各種高速數(shù)據(jù)通信接口中得到廣泛應(yīng)用,如RF射頻、HDMI2.0、USB3.0等。

01

產(chǎn)品特性

體積小:最小尺寸DFN0603,適合空間有限的場合使用,節(jié)省布局空間。

能夠同時(shí)保護(hù)8路信號(hào)的共模及差模,簡化你的設(shè)計(jì)和布線,可提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

適用電頻信號(hào)范圍廣:1.5V至24V,可根據(jù)不用的電頻信號(hào)選擇最適合的保護(hù)器件。

VC殘壓低:最低可以控制在3V,能有效保護(hù)設(shè)備免受靜電放電ESD和EOS浪涌的損害。

02

器件規(guī)格表

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03

應(yīng)用場景

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審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:適用于高速數(shù)據(jù)信號(hào)ESD和EOS的保護(hù)器件

文章出處:【微信號(hào):優(yōu)恩半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):優(yōu)恩半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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