PI擬收購Odyssey以推動PowiGaN技術(shù)研發(fā)
Power Integrations （PI） 8日宣布將收購Odyssey Semiconductor Technologies （奧德賽半導(dǎo)體技術(shù)），進軍垂直氮化鎵晶體管技術(shù)領(lǐng)域。該交易預(yù)計2024年7月完成，奧德賽的核心團隊將歸入PI技術(shù)部。
PI方面強調(diào)，此舉將提升公司獨特的PowiGaN技術(shù)的研發(fā)實力，這是其廣泛用于InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因數(shù)校正IC等一系列產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)。
公司計劃借助氮化鎵與碳化硅材料相比的優(yōu)越性，降低成本并提升性能，推動高電流、高電壓氮化鎵技術(shù)的商業(yè)化，滿足當前碳化硅無法覆蓋的更高功率需求。
據(jù)了解，Odyssey成立于2019年，專注于高壓功率開關(guān)元件和系統(tǒng)的開發(fā)，擁有一家占地1萬平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造廠，配備先進的半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)設(shè)備。Odyssey曾于今年3月以952萬美元出售資產(chǎn)并解散。
Odyssey主要從事650V和1200V垂直氮化鎵場效應(yīng)晶體管的研發(fā)和生產(chǎn)。
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