振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振是什么原因?影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平。
發(fā)表于 02-17 10:06
注意的是:運(yùn)輸過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。 3、振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振 影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)
發(fā)表于 04-27 16:49
興科技來(lái)介紹以下五點(diǎn)晶振相關(guān)知識(shí):負(fù)載電容、老化率、儲(chǔ)存溫度范圍、等效串聯(lián)阻抗和負(fù)性阻抗。負(fù)載電
發(fā)表于 06-23 16:00
導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平。 頻率誤差太大,導(dǎo)致實(shí)際頻率
發(fā)表于 08-03 16:30
過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。3、振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)
發(fā)表于 10-11 11:58
;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。3、振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)性
發(fā)表于 10-12 02:13
過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。3、 振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)
發(fā)表于 10-25 14:35
過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。3、 振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)
發(fā)表于 10-25 15:09
過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。3、 振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)
發(fā)表于 11-07 15:21
過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。3、 振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)
發(fā)表于 07-16 04:20
晶振不起振 影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平。 頻率誤差太大,導(dǎo)致實(shí)際頻
發(fā)表于 10-21 06:42
簡(jiǎn)易晶振測(cè)試
本文介紹一款簡(jiǎn)單易作的晶振
發(fā)表于 12-05 14:17
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無(wú)源晶振匹配測(cè)試有幾個(gè)參數(shù)是要重點(diǎn)關(guān)注的:典型頻率,高中低溫度下的頻率偏差、負(fù)阻特性、激勵(lì)功率。
發(fā)表于 11-25 09:01
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晶振負(fù)載電容測(cè)試原理與測(cè)試方法 晶體振蕩器(也稱為晶振)是一種產(chǎn)生精確頻率的電子設(shè)備,被廣泛應(yīng)用
發(fā)表于 12-18 14:09
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學(xué)習(xí)如何測(cè)試晶振,以及在實(shí)際應(yīng)用中再次理解晶振的作用。Chrent電路板晶
發(fā)表于 10-24 08:08
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評(píng)論