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晶振負(fù)性阻抗測(cè)試與計(jì)算

華昕電子 ? 2024-05-10 08:33 ? 次閱讀
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負(fù)性阻抗-R也稱為發(fā)振余裕度,用于評(píng)價(jià)晶振在發(fā)振回路上的發(fā)振能力。發(fā)振余裕度不足時(shí),會(huì)導(dǎo)致振蕩電路振蕩不穩(wěn)定甚至啟動(dòng)失效等問(wèn)題。負(fù)性阻抗-R需滿足-R>(3~5)Rr,晶振電路才能穩(wěn)定發(fā)振。晶振電路負(fù)性阻抗-R的測(cè)試電路原理。

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圖中RQ為可調(diào)電阻。具體測(cè)試方法:通過(guò)不斷增大RQ阻值,直到晶振停止振蕩,記錄此時(shí)的RQ阻值,根據(jù)測(cè)得的RQ值,可按如下公式計(jì)算負(fù)性阻抗:|-R|=RQ+RL

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式中:RL為加載后的諧振電阻;Rr為等效串聯(lián)電阻。文中設(shè)計(jì)的晶振電路經(jīng)過(guò)測(cè)量計(jì)算得到的負(fù)性阻抗-R為430 Ω,大于諧振電阻的3倍,符合要求。

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