”致各合作伙伴

Si24R2F+ 芯片應(yīng)用原理圖已更新，請(qǐng)聯(lián)系各地經(jīng)銷(xiāo)商獲取最新資料，盡快更新！

具體更新位置如下，

C1電容值，調(diào)整為 100nF
L3電感值，調(diào)整為3.9nH

C7電容值，調(diào)整為 22nF

優(yōu)化：電池端使用較小儲(chǔ)能電容時(shí)，個(gè)別芯片會(huì)小概率復(fù)位和死機(jī)。

本次更新后的數(shù)據(jù)手冊(cè)版本號(hào)為：Si24R2F_Plus_數(shù)據(jù)手冊(cè)_V0.8

#02-其它更新

Si24R2H 更新應(yīng)用原理圖

注意事項(xiàng)：
① 芯片底部需接地；
② SDA引腳在不使用外部溫度傳感器時(shí)，也需接上拉電阻至電源；
③ 重要更新，更新 2.4G部分RF匹配電路， L4電感值從 1nH修改為 3.9nH,C14電容值從 10nF修改為 22nF。修改原因?yàn)閮?yōu)化頻偏、優(yōu)化125KHz信號(hào)對(duì)2.4GHz信號(hào)的干擾；
④ C7電容值 由 2.2uF修改為 100nF。

多功能應(yīng)用原理圖

NTC測(cè)溫 2.4G(BLE)發(fā)射應(yīng)用原理圖

2.4G+125K 應(yīng)用原理圖

本次更新后的數(shù)據(jù)手冊(cè)版本號(hào)為：Si24R2H_數(shù)據(jù)手冊(cè)_V1.7