傳三星HBM3E尚無(wú)法通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證
三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，業(yè)界傳出消息，因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問(wèn)題，導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
HBM3E作為一種先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)，對(duì)于提升圖形處理性能至關(guān)重要。三星電子一直致力于在這一領(lǐng)域取得突破，以滿足市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。然而，此次的驗(yàn)證挑戰(zhàn)無(wú)疑給三星電子帶來(lái)了額外的壓力。
目前，三星電子正在與臺(tái)積電等相關(guān)合作伙伴緊密溝通，共同尋求解決方案。同時(shí)，三星電子也在加快產(chǎn)品驗(yàn)證進(jìn)度，以期能夠盡快解決當(dāng)前面臨的問(wèn)題，確保HBM3E產(chǎn)品的順利供應(yīng)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182328 -
英偉達(dá)
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
3944瀏覽量
93596
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá)，國(guó)內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉
英偉達(dá)認(rèn)證推遲，但三星HBM3E有了新進(jìn)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測(cè)試，正就量產(chǎn)供應(yīng)展開(kāi)磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計(jì)算約為10億Gb級(jí)別左右，量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)最早從今年下半年延續(xù)至
三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星新型AI存儲(chǔ)芯片
近日，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時(shí)透露，英偉達(dá)正在全力加速對(duì)三星最新推出的AI存儲(chǔ)芯片——HB
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片
近日，英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露，他們正在不遺余力地
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速AI GPU市場(chǎng)布局
近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證，并正式開(kāi)啟
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)
進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過(guò)英偉
三星否認(rèn)HBM3E芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳
三星電子HBM3E芯片測(cè)試進(jìn)展引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注
8月7日，市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)（Nvidia）測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而，
三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即，營(yíng)收貢獻(xiàn)將飆升
三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營(yíng)收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露，隨著
今日看點(diǎn)丨蘋(píng)果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7；三星：HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)
最先進(jìn)的HBM3e芯片占總HBM的銷售額比例將從本季度略高于10%增長(zhǎng)到今年最后一個(gè)季度的60%。三星存儲(chǔ)銷售和營(yíng)銷負(fù)責(zé)人Kim Jaejune表示，該公司將為幾家客戶供貨，但未透露客戶姓名。 ?
發(fā)表于 08-01 11:08
?1129次閱讀
三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過(guò)全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論