正如Business Korea報道所述，盡管有人預言“半導體春天”已至，三星和SK海力士卻并未如預計般提升生產水準。截至5月20日，這兩大巨頭在提高標準DRAM和NAND芯片產量上都采取了審慎的策略。

根據行業(yè)預估，三星和SK海力士有望在今年擴展產量以應對逐步好轉的半導體市場環(huán)境。然而，他們在今年一季度財政報告會上均表示，DRAM產量可能會受到制約。

目前，標準DRAM和NAND市場前景不明朗，尤其是面對即將到來的美國大選、潛在的美國經濟政策與貿易法規(guī)變動以及中東地區(qū)的地緣政治風險，業(yè)界普遍保持謹慎。

雖然標準容量8Gb DDR4 DRAM在今年四月的平均固定交易價相較三月上漲了約17%，但這被認為只是暫時性的反彈，并非真正的需求回暖。相比之下，標準NAND（存儲卡和USB、128Gb 16Gx8 MLC）的價格自三月以來保持平穩(wěn)，無明顯漲勢。

市場研究機構TrendForce指出，受臺灣地震影響，短期內需求有所上升，但鑒于PC制造商庫存充足，預計第二季度PC DRAM整體采購量將大幅下滑。

三星電子和SK海力士則選擇將重心轉向擴大HBM產量，這一決策在一定程度上降低了標準存儲器的產量。在有限的產能條件下，增加HBM產量意味著標準存儲產量將相應減少。

展望下半年，眾多智能手機新品即將問世，包括備受期待的Galaxy折疊屏手機和iPhone 16系列等，這或許將刺激廠商加大標準存儲產品的生產力度。