盡管此前臺積電堅稱無需最新型ASML高數(shù)值孔徑EUV光刻機仍能過得不錯，但如今該公司似乎對此產(chǎn)生了動搖。臺積電首席執(zhí)行官此次悄悄造訪ASML總部，暗示其態(tài)度出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。

宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域，已有數(shù)臺設(shè)備投入其芯片制造部門使用。據(jù)透露，英特爾正計劃在即將推出的18A（1.8納米）工藝節(jié)點中試行高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)，并將其正式引入14A（1.4納米）制造工藝。

相較而言，臺積電公開宣稱現(xiàn)有低噪聲EUV光刻機可支撐至2026年。對于即將面世的A16工藝節(jié)點，該公司滿足于通過工藝改良，如多重掩模提高生產(chǎn)效率及納米片晶體管設(shè)計等方式提升產(chǎn)品性能。此外，臺積電還依賴背面供電以增強其產(chǎn)品在人工智能任務(wù)中的表現(xiàn)。

值得關(guān)注的是，5月26日，臺積電首席執(zhí)行官魏哲家未出席2024年技術(shù)研討會，反而秘密拜訪了ASML位于荷蘭的總部。

據(jù)Business Korea報道，從ASML首席執(zhí)行官Christopher Fuke與通快集團首席執(zhí)行官Nicola Leibinger-Kammüller的社交媒體動態(tài)中，我們得以窺見魏哲家此行的部分細節(jié)。

按照臺積電原定計劃，該公司預(yù)計在推出基于1.6納米的產(chǎn)品之后，方才采納高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)。然而，魏哲家此次秘密訪問ASML總部的舉動令人驚訝，暗示臺積電當(dāng)前發(fā)展路徑可能存在變數(shù)，或正在對未來運營策略進行全面審視。