NAND Flash上的，指的是用于向閃存單元寫入數(shù)據(jù)時使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。

NAND flash芯片需要不同的電壓來執(zhí)行各種操作，例如讀、寫和擦除。由于這些操作的要求電壓通常高于芯片的工作電壓（Vcc），所以需要一種機制來生成這些高電壓，這種機制就是Vcc Pump。具體來說，Vcc pump（電荷泵）是一種能夠?qū)⑤斎腚妷禾嵘礁唠妷旱碾娐贰?/p>

而Vpp（Voltage for Programming Power）則是通過一個專門的pin腳，直接輸入電壓給芯片內(nèi)部，避免Vcc一級一級pump，這樣可以節(jié)省功耗。

除了省電，Vpp還可以加快Program速度， Vpp這樣的更高電壓可以加速電荷注入到存儲單元的浮動柵中的過程。這使得單元的閾值電壓變化更快，閾值電壓代表著存儲的數(shù)據(jù)。

提高的耐久性：在NAND Flash中，每個單元只能承受有限數(shù)量的編程/擦除周期，然后就開始磨損。通過使用Vpp，編程過程更為高效，并且可能減少每次編程周期對存儲單元的壓力，從而延長NAND Flash的整體耐久性。

盡管Vpp可以提供上述優(yōu)勢，但它也增加了系統(tǒng)設計的復雜性和成本。所以，在現(xiàn)代NAND Flash技術中，使用Vpp的情況越來越少。閃存技術的進步，如改進的晶體管設計和編程算法，已經(jīng)使得在較低電壓下也能高效編程。許多現(xiàn)代NAND Flash設備現(xiàn)在使用單級電源系統(tǒng)，簡化了設計和制造過程，降低了成本，并提高了功率效率，無需依賴Vpp。

在對速度和耐久度要求更高的企業(yè)級應用中，使用Vpp可以幫助滿足這些要求，所以一些原廠在企業(yè)級NAND Flash會提供對Vpp的支持。