新型鍺晶體管面世，速度是當(dāng)今晶體管的4倍
據(jù)國外媒體報道，MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來讓電流通過，速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。為了能夠提升速度，科學(xué)家們將鍺放置在不同的硅層上和硅符合產(chǎn)品上，隨后鍺原子將與硅層結(jié)合起來，拉緊材料迫使最上層材料結(jié)構(gòu)比它們的原始結(jié)構(gòu)更加緊湊。聽起來有點(diǎn)像我們用藤條改變植物的生長形狀一樣。
緊湊的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致鍺材料之間的洞孔更加緊密，晶體管的速度達(dá)到當(dāng)今大部分實(shí)驗(yàn)設(shè)計的2倍，市場上晶體管速度的 4 倍。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10020瀏覽量
141717 -
鍺晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1瀏覽量
5600
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 04-15 10:24
晶體管電路設(shè)計（下）
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨器電路設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作，進(jìn)晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
如何測試晶體管的性能 常見晶體管品牌及其優(yōu)勢比較
如何測試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件，其性能測試對于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測試晶體管性能的一些基本步驟和方法： 1. 外觀檢查 外觀檢查 ：檢查晶體管的
晶體管故障診斷與維修技巧 晶體管在數(shù)字電路中的作用
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件，它們在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術(shù)人員來說是一項(xiàng)基本技能。 一、晶體管在數(shù)字電路中的作用 開關(guān)功能 ：
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 ： 晶體管 ：晶體管（BJT）基于雙極型晶體管的原理，即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
晶體管的輸出特性是什么
晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負(fù)載的特性表現(xiàn)，這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響，包括輸入信號、電源電壓、溫度以及
淺析晶體管光耦產(chǎn)品
。產(chǎn)品描述ProductDescriptionKL3H4光耦是由兩個反向并聯(lián)的紅外發(fā)射二極管和光電晶體管構(gòu)成的光電耦合器，采用4引腳小外形SMD封裝。功能圖Functi
什么是晶體管的極性
晶體管的極性，是一個在電子學(xué)領(lǐng)域具有基礎(chǔ)且重要意義的概念。為了全面闡述晶體管的極性，我們需要從其定義、分類、工作原理、極性的具體表現(xiàn)以及在實(shí)際應(yīng)用中的意義等多個方面進(jìn)行深入探討。
晶體管的基本工作模式
晶體管作為電子電路中的核心元件，其基本工作模式對于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類：放大模式和開關(guān)模式。這兩種模式基于晶體管內(nèi)部PN結(jié)的特性，通過控制輸入電壓或電流來實(shí)現(xiàn)對輸出電流的控制。下面將詳
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別
CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色，但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
淺析高壓晶體管光耦
晶體管光耦是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器，通過光電效應(yīng)和晶體管放大特性，實(shí)現(xiàn)電信號的光學(xué)隔離與傳輸、確保信號穩(wěn)定可靠。
什么是單極型晶體管？它有哪些優(yōu)勢？
單極型晶體管，也被稱為單極性晶體管或場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET），是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于電場對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性
GaN晶體管的應(yīng)用場景有哪些
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以
GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同
GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管
工商網(wǎng)監(jiān)
評論