結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半
發(fā)表于 07-11 14:49
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)委托新加坡能源公司(SP集團(tuán))升級(jí)意法半導(dǎo)體大巴窯工廠的冷卻基礎(chǔ)設(shè)施。大巴
發(fā)表于 06-14 14:45
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采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。
發(fā)表于 06-09 09:57
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意法半導(dǎo)體(簡稱ST)披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié),進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。2024年10月,意
發(fā)表于 04-18 14:15
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新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進(jìn)方向,行家說三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報(bào)道。 ? ? 日前, 意法半導(dǎo)體
發(fā)表于 04-10 09:18
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在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器
發(fā)表于 02-07 10:38
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意法半導(dǎo)體新推出了一款基于網(wǎng)絡(luò)的工具ST AIoT Craft,該工具可以簡化在意法半導(dǎo)體智能M
發(fā)表于 01-16 13:33
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意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意
發(fā)表于 01-09 14:48
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是工廠的排氣系統(tǒng);半導(dǎo)體制造和檢驗(yàn)過程中使用多種藥液和氣體,也會(huì)產(chǎn)生大量的污水和有害氣體,如圖1-1所示,污水處理設(shè)施、廢液儲(chǔ)存罐、廢氣處理設(shè)施也是半導(dǎo)體工廠的標(biāo)配。
通過閱讀此章了解了半導(dǎo)體工廠
發(fā)表于 12-29 17:52
半導(dǎo)體市場的競爭力。 據(jù)悉,該項(xiàng)目的實(shí)施得到了歐盟委員會(huì)的大力支持,已經(jīng)獲得了約13億歐元(當(dāng)前約98.57億元人民幣)的補(bǔ)貼資金。這筆資金將為Silicon Box公司在意大利諾瓦拉的新工廠建設(shè)提供重要的財(cái)務(wù)保障,助力其實(shí)現(xiàn)技
發(fā)表于 12-23 14:22
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協(xié)議,從2026年起,意法半導(dǎo)體將為安培長期供應(yīng)碳化硅(SiC)功率模塊。這一舉措是雷諾集團(tuán)與意
發(fā)表于 12-11 11:03
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▌2024ST工業(yè)峰會(huì)簡介
第六屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024 即將啟程!在為期一整天的活動(dòng)中,您將探索意法
發(fā)表于 10-16 17:18
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場標(biāo)
發(fā)表于 10-12 11:30
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意法半導(dǎo)體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次
發(fā)表于 10-10 18:27
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SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體
發(fā)表于 09-10 15:15
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評(píng)論