納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，包括650V和1200V兩大規(guī)格。
這一系列產(chǎn)品在設(shè)計和制造上均進(jìn)行了重大優(yōu)化，旨在為用戶提供最快的開關(guān)速度、最高的效率以及增進(jìn)的功率密度。這些特點使得G3F系列MOSFETs成為AI數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器（OBCs）、電動汽車超級充電樁以及太陽能/儲能系統(tǒng)（ESS）等高端應(yīng)用的理想選擇。
據(jù)了解，G3F系列MOSFETs產(chǎn)品覆蓋了從D2PAK-7到TO-247-4的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，體現(xiàn)了納微半導(dǎo)體在產(chǎn)品設(shè)計上的全面性和靈活性。同時，該系列產(chǎn)品專為要求苛刻的高功率、高可靠性應(yīng)用而設(shè)計，能夠在各種復(fù)雜環(huán)境下穩(wěn)定運行，確保系統(tǒng)的長期可靠性。
納微半導(dǎo)體的這一創(chuàng)新之舉，無疑將推動碳化硅MOSFETs技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，為相關(guān)行業(yè)帶來更加高效、可靠的解決方案。同時，這也展示了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力和不斷創(chuàng)新的決心。
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