隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。

8英寸SiC晶圓相較于傳統(tǒng)的6英寸晶圓，具有更高的生產(chǎn)效率和更低的成本。據(jù)行業(yè)專家分析，從6英寸升級(jí)到8英寸，雖然單片晶圓成本有所增加，但由于每片晶圓中可用的裸片數(shù)量大幅增加，產(chǎn)量更高，最終的芯片成本將更低。這一優(yōu)勢使得8英寸SiC晶圓成為行業(yè)主流產(chǎn)品的趨勢愈發(fā)明顯。

在國際市場上，韓國EYEQ Lab公司近期在釜山啟動(dòng)了韓國首座8英寸SiC功率半導(dǎo)體工廠的建設(shè)，計(jì)劃投資約5.3億人民幣，預(yù)計(jì)于2025年9月投產(chǎn)。日本三菱電機(jī)也宣布將提前至2025年11月運(yùn)營其位于熊本縣的SiC晶圓廠，投資額高達(dá)約46億人民幣，主要用于建設(shè)新的8英寸SiC晶圓廠。歐洲方面，意法半導(dǎo)體同樣不甘示弱，計(jì)劃建設(shè)8英寸SiC制造工廠，并預(yù)計(jì)于2026年開始生產(chǎn)。

在中國，8英寸SiC投資熱潮同樣火熱。多家企業(yè)積極投身于8英寸SiC晶圓的研發(fā)和生產(chǎn)，其中芯聯(lián)集成已成功下線8英寸SiC工程批，合盛硅業(yè)計(jì)劃在今年二季度末實(shí)現(xiàn)8英寸襯底片的量產(chǎn)，士蘭微則計(jì)劃在廈門建設(shè)一條以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。這些舉措表明，中國企業(yè)正在成為全球8英寸SiC產(chǎn)業(yè)的重要參與者。

8英寸SiC投資熱潮的興起，不僅推動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)，也為全球經(jīng)濟(jì)增長注入了新的動(dòng)力。據(jù)預(yù)測，隨著對高效能、節(jié)能器件需求的增加，SiC市場規(guī)模將持續(xù)保持平穩(wěn)增長的態(tài)勢，到2030年市場規(guī)模將接近114.5億元。

然而，8英寸SiC晶圓的生產(chǎn)并非易事，技術(shù)門檻高、投入成本大是擺在各廠商面前的挑戰(zhàn)。盡管如此，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場的擴(kuò)大，8英寸SiC晶圓將成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。各大廠商將繼續(xù)加大投入，推動(dòng)8英寸SiC晶圓技術(shù)的不斷突破和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展。