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三星LEDos技術瞄準AR設備,Micro LED芯片廠商加碼自研技術

Monika觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:莫婷婷 ? 2024-06-20 00:07 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網報道(文/莫婷婷)對于AR設備,業(yè)內普遍認為,2022年—2030年AR設備近眼顯示技術的趨勢為光波導+Micro OLED/Micro LED。當前,光波導+Micro OLED和光波導+Micro LED的方案均獲得AR智能眼鏡廠商的使用。例如INMO Air 2采用的是光波導+Micro OLEO方案,雷鳥X2、nubia Neo Air采用的是光波導+Micro LED。

不過,基于這兩種技術的成熟度、成本等各個方面的考量,Micro OLED是當前主流的方案,Micro LED有望成為下一代主流顯示技術方案。早在2022年,三星顯示就認為Micro LED面板會比Micro OLED更適合AR設備,并且著手研發(fā)OLEDoS (OLED on Silicon)和 LEDoS (LED on Silicon)技術。

就在近期,三星顯示(SDC)明確表示公司將持續(xù)布局用于AR設備的硅基LED(LEDoS)技術。在這兩種技術中,OLEDos更加適用于VR設備,例如蘋果的Vision Pro就采用了內部 OLEDoS 顯示面板、外部 OLED 顯示面板的方案。LEDoS技術是在硅基板上生成無數微米級LED的先進技術,在亮度、清晰度、壽命上具備優(yōu)勢。由于AR設備在使用過程中,具備與現實世界互動的功能,因此高亮度在AR設備中是一個絕對優(yōu)勢。

值得關注的是,隨著AR設備在消費電子、工業(yè)等各個領域的起量,Micro LED等微顯示也將同步迎來發(fā)展機遇,這也將成為微顯示芯片廠商的發(fā)展機會。據了解,LEDos所需的Micro LED芯片尺寸需要小于幾微米。

為了實現微顯示芯片的小型化,技術方案也在不斷升級,JBD首席運營官徐慧文曾表示,MicroLED微顯示產品的像素尺寸一般會小于5微米,像素密度大于5000PPI,單個發(fā)光體小于2微米。因此JBD推出了“混合集成半導體”技術,不同于傳統(tǒng)的巨量轉移技術,實現了顯示芯片的小型化、高亮度。

諾視科技則自主研發(fā)的WLVSP?(晶圓級垂直堆疊像素)技術。就在今年4月,諾視科技點亮全球首款XGA垂直堆疊全彩Micro-LED微顯示芯片,該芯片采用自主研發(fā)的WLVSP技術方案集成RGB三色和CMOS驅動背板,突破了小型化的限制,也是單片全彩微顯示芯片的新突破。

根據諾視科技介紹,WLVSP技術方案融合了集成電路工藝和LED,將多個發(fā)光單元在垂直方向進行堆疊,突破了尺寸、成本、良率、性能等多個方面的瓶頸。

另一家微顯示芯片廠商鐳昱則自研了光刻式量子點制程(QDPR),提升了微顯示芯片色彩和色域的表現,其中全彩微顯示屏的sRGB色域比例提升至147.2%,NTSC色域比例提升至104.3%,DCI-P3色域比例提升至108.5%。目前鐳昱已經推出了0.11英寸及0.22英寸單片全彩微顯示屏。

調研機構洛圖科技預測到2025年,全球智能眼鏡的出貨量將突破500萬副。不管是AR設備還是VR設備廠商都在挑戰(zhàn)顯示體驗的技術瓶頸。LEDos的技術挑戰(zhàn)不僅僅是Micro LED芯片的小型化,還需要更小尺寸的同時,實現亮度、分辨率以及色彩等各方面的提升。







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