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SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達(dá)到56.1%

要長(zhǎng)高 ? 2024-06-24 15:35 ? 次閱讀
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近日,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了一項(xiàng)重大技術(shù)突破。據(jù)BUSINESSKOREA報(bào)道,在6月16日至6月20日于美國(guó)夏威夷舉行的半導(dǎo)體盛會(huì)“VLSI 2024”上,韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK hynix(SK海力士)提交了一份關(guān)于3D DRAM(三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進(jìn)展,更向世界展示了其在這一未來存儲(chǔ)技術(shù)上的堅(jiān)定決心與卓越實(shí)力。

在論文中,SK海力士自豪地宣布,其五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率已達(dá)到驚人的56.1%。這意味著,在單個(gè)測(cè)試晶圓上制造的約1,000個(gè)3D DRAM中,有約561個(gè)成功通過了嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè),成為可投入市場(chǎng)的合格產(chǎn)品。這一數(shù)字不僅體現(xiàn)了SK海力士在3D DRAM制造技術(shù)上的精湛工藝,更預(yù)示著下一代存儲(chǔ)技術(shù)即將迎來商業(yè)化應(yīng)用的曙光。

值得一提的是,SK海力士此次展示的3D DRAM在性能上已展現(xiàn)出與目前廣泛使用的2D DRAM相媲美的特性。這一成就無疑為業(yè)界帶來了極大的信心,預(yù)示著3D DRAM將在未來逐步取代2D DRAM,成為主流存儲(chǔ)技術(shù)。

業(yè)內(nèi)專家普遍認(rèn)為,SK海力士在VLSI 2024上提交的這篇論文標(biāo)志著該公司在3D DRAM研發(fā)領(lǐng)域取得了重要里程碑。這不僅展現(xiàn)了SK海力士在技術(shù)創(chuàng)新上的領(lǐng)先地位,也預(yù)示著該公司即將獲得下一代DRAM的核心技術(shù),從而在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中占據(jù)更加重要的地位。

作為人工智能AI)半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者,SK海力士一直致力于推動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。憑借高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù),SK海力士已經(jīng)在市場(chǎng)上取得了顯著的優(yōu)勢(shì)。如今,該公司正尋求在下一代DRAM領(lǐng)域繼續(xù)創(chuàng)新,以鞏固其市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。

去年4月,SK海力士與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電簽署了一份諒解備忘錄(MOU),共同合作開發(fā)HBM4技術(shù)。今年,SK海力士又與英偉達(dá)在HBM領(lǐng)域展開深度合作,進(jìn)一步鞏固了其在市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位。隨著這些合作的深入推進(jìn),SK海力士的股價(jià)也持續(xù)走高,市值已突破175萬億韓元。

在HBM領(lǐng)域取得顯著成果的同時(shí),SK海力士也在加快其HBM路線圖的發(fā)展步伐。原本計(jì)劃于2026年和2027年量產(chǎn)的HBM4和HBM4E技術(shù),現(xiàn)已提前一年進(jìn)入量產(chǎn)階段。據(jù)悉,與前代產(chǎn)品HBM3E相比,新的HBM4技術(shù)有望將帶寬提高40%,功耗降低70%,而密度也將提高1.3倍。這一技術(shù)的推出將極大地推動(dòng)人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展。

除了HBM技術(shù)的創(chuàng)新外,SK海力士還在積極探索混合鍵合技術(shù)在3D DRAM領(lǐng)域的應(yīng)用。通過采用先進(jìn)的鍵合技術(shù),SK海力士期望能夠進(jìn)一步提升3D DRAM的性能和集成度,以滿足未來市場(chǎng)對(duì)更高容量、更低功耗存儲(chǔ)技術(shù)的需求。

盡管SK海力士在3D DRAM研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展,但該公司也清醒地認(rèn)識(shí)到實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)。與二維DRAM相比,三維DRAM在性能上表現(xiàn)出不穩(wěn)定的特征,需要堆疊更多的存儲(chǔ)單元才能實(shí)現(xiàn)普遍應(yīng)用。因此,SK海力士將繼續(xù)加大研發(fā)投入,不斷優(yōu)化技術(shù)工藝,以推動(dòng)3D DRAM技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。

展望未來,我們有理由相信SK海力士將繼續(xù)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。隨著3D DRAM技術(shù)的不斷成熟和商業(yè)化應(yīng)用的推進(jìn),SK海力士將為我們帶來更多驚喜和可能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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