H6392是一款外圍電路簡(jiǎn)單的電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，專為2.6-5V輸入電壓范圍的升壓恒壓電源應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)計(jì)。以提供穩(wěn)定的電源輸出。

一、產(chǎn)品描述

H6392轉(zhuǎn)換器具有外圍電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，使其易于集成到電子設(shè)備中。它適用于2.6-5V的輸入電壓范圍，這使得它在多種電池供電的設(shè)備中具有更多的適用性。內(nèi)置的18V/0.2Ω功率MOSFET能改良轉(zhuǎn)換效率，減少能量損失。

PWM控制電路的設(shè)計(jì)有助于改良電源系統(tǒng)的效率。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)可以優(yōu)化外部組件的數(shù)量，可優(yōu)化至9個(gè)組件，從而簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。芯片內(nèi)部的誤差放大器與0.6V參考電壓進(jìn)行比較，確保輸出電壓的精度在±4%以內(nèi)。此外，軟啟動(dòng)功能可以降低輸入的浪涌電流，保護(hù)電源系統(tǒng)免受沖擊。

EN腳的低待機(jī)關(guān)機(jī)功能使得芯片可以在不使用時(shí)進(jìn)入低功耗待機(jī)模式，從而延長(zhǎng)設(shè)備的使用時(shí)間。當(dāng)EN腳連接到VIN時(shí)，系統(tǒng)正常工作；當(dāng)EN腳被拉低時(shí)，系統(tǒng)關(guān)機(jī)，此時(shí)芯片內(nèi)部的電流消耗小于0.1μA。

H6392采用ESOP-8封裝，這種封裝方式便于集成，還加強(qiáng)了散熱性能，有助于芯片在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

二、產(chǎn)品特征

輸出可調(diào)，可達(dá)12V：這一特性使得H6392能夠適應(yīng)不同設(shè)備的電壓需求。

可調(diào)過(guò)電流保護(hù)：1.2~2.5A：這一功能可以保護(hù)電路免受過(guò)電流的損害。

內(nèi)置18V耐壓MOS：內(nèi)置的高耐壓MOSFET不僅改良了轉(zhuǎn)換效率，還減少了外部組件的數(shù)量。

低待機(jī)功耗<0.1μA：待機(jī)功耗低，有助于延長(zhǎng)電池使用壽命。

芯片恒壓精度≤±4%：高精度的輸出電壓讓設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

固定工作頻率1MHZ：固定的工作頻率簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，并有助于降低電磁干擾。

支持過(guò)溫保護(hù)功能：過(guò)溫保護(hù)功能可以在芯片溫度過(guò)高時(shí)自動(dòng)關(guān)閉電源，改良芯片損壞。

三、典型應(yīng)用

H6392因其穩(wěn)定、易集成的特點(diǎn)，在多種電子設(shè)備中得到了應(yīng)用。它特別適用于鋰電池升壓恒壓電源、充電器、數(shù)碼相機(jī)、手持設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備供電、液晶顯示器以及便攜式電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，H6392能夠提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)，同時(shí)降低功耗，延長(zhǎng)設(shè)備的使用時(shí)間。此外，其簡(jiǎn)單的外圍電路設(shè)計(jì)和ESOP-8封裝也便于產(chǎn)品的集成和散熱。

綜上所述，H6392是一款性能穩(wěn)定、易于集成的電流模式升壓型恒壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，能夠滿足多種電子設(shè)備對(duì)電源的需求。

四、應(yīng)用電路原理圖：

審核編輯 黃宇