聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體供應(yīng)商思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）發(fā)布汽車級理想二極管ORing控制器TPS65R01Q。

TPS65R01Q擁有20mV正向調(diào)節(jié)功能，降低系統(tǒng)損耗?？焖俜聪蜿P(guān)斷（Typ：0.39μs），在電池反向和各種汽車電氣瞬變條件下提供保護。

TPS65R01Q可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、企業(yè)電源、汽車主機、ADAS、儀表盤、HUD等多個終端場景。

TPS65R01Q產(chǎn)品優(yōu)勢

電池反向保護、快速關(guān)斷、零直流反向電流

電源系統(tǒng)設(shè)計中，直接使用電池供電的模塊或子系統(tǒng)，在感性負(fù)載與電池斷開連接期間出現(xiàn)動態(tài)反極性或電池安裝過程中出現(xiàn)反接時，會導(dǎo)致連接的模塊、子系統(tǒng)電路遭到損壞。

TPS65R01具有電池反向保護功能，可承受最大-65V的反向電壓，有效保護與電池相連接的模塊和子系統(tǒng)。

反向保護延時：Trev_Delay（380ns）

Trev_Delay VS Temp

降低正向功耗

傳統(tǒng)的串聯(lián)肖特基二極管雖然能夠提供反向電壓保護，但當(dāng)負(fù)載電流增加時，二極管的結(jié)溫會顯著升高，這不僅會加劇熱問題，還可能因高溫導(dǎo)致反向漏電流上升，進而影響整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性。因此，熱管理在系統(tǒng)設(shè)計中顯得尤為重要。

TPS65R01Q具備20mV正向調(diào)節(jié)功能，相比于肖特基二極管的VF值（0.3V左右@1A），TPS65R01Q的正向電壓更低，這意味著在相同條件下，熱損耗顯著減少。這種改進不僅提升了系統(tǒng)的可靠性，還有助于降低系統(tǒng)設(shè)計和運行的成本。

低靜態(tài)功耗

TPS65R01Q常溫下正常工作電流典型值60μA，全溫度范圍內(nèi)不超過100μA。

更好的冷啟動性能

在汽車?yán)鋯悠陂g，電池電壓會降低到4V左右，在這種情況下，使用PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）方案可能會導(dǎo)致PMOS的溝道電阻急劇增加，從而在PMOS兩端產(chǎn)生較大的電壓降，這可能會引起斷路，導(dǎo)致系統(tǒng)重新啟動。

TPS65R01具有出色的冷啟動性能，即使在冷啟動運行期間輸入電壓低于4V（仍高于3.2V）時，也能確保外部NMOS保持完全增強狀態(tài)。

Vin從12V降到3.5VTPS65R01正向調(diào)節(jié)功能正常

ORing電源平滑切換

下圖展示了在雙電源配置中，當(dāng) VIN1 固定在12V，而 VIN2 在4V至60V之間進行動態(tài)切換時，系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)從 VIN1 到 VIN2 的平滑切換，確保輸出在切換過程中保持穩(wěn)定。

VIN1 @12V，VIN2 @4V to 60V

TPS65R01Q典型應(yīng)用

單電源應(yīng)用

雙電源應(yīng)用

TPS65R01Q產(chǎn)品特性

寬輸入電壓：3.2V-60V

最大-65V的反向電壓承受能力

正向調(diào)制電壓：20mV

反向關(guān)斷電壓：-11mV

最大關(guān)斷電流：2.3A

反向關(guān)斷延時：390ns

正向恢復(fù)延時：1.5μs

支持多顆NMOS并聯(lián)

溫度范圍：-40℃ to 125℃

封裝：SOT23-6

TPS65R01Q雙電源EVM Board