芯片金電極的電鍍工藝涉及多個步驟和細節(jié)，這些步驟包括預處理、電鍍操作以及后處理等。

以下是詳細的流程：

基片準備：

清洗基片及光刻顯影：首先需要對基片進行清洗和脫脂，以去除表面的污染物，確保其達到良好的活化狀態(tài)。

光刻顯影：通過光刻技術在基片上形成所需的圖案。

多靶共濺磁控濺射：

將顯影后的基片放入多靶共濺磁控濺射腔體中，分別裝上金屬鉻與金靶材。

在真空度小于1.0×10^-3Pa的條件下，先濺射沉積鉻層厚度為5nm～200nm，再濺射沉積鉻、金合金層厚度為3nm～200nm

電鍍過程：

預處理：包括脫脂除油、水洗、酸洗活化等前處理工序，目的是清除基材表面的各種污染物，并使其達到良好的活化狀態(tài)。

電鍍：在含有預鍍金屬（如金）的鹽類溶液中，以被鍍基體金屬為陰極，通過電解作用，在基體金屬表面沉積出所需的鍍層。

后處理：包括清洗、鈍化、干燥等步驟，以確保鍍層的質量和穩(wěn)定性。

特殊工藝：

對于柔性金電極的制備，可以采用石墨掩模和離子交換反應的方法來實現(xiàn)圖形化金電極的制作。

使用激光組裝技術也可以用于微電極的制備，這種方法具有制作程序簡單、快速、制作低廉等特點。

質量控制：

檢驗是保證電鍍質量的重要環(huán)節(jié)，常用的檢驗項目包括電鍍層厚度、粗糙度、附著力等。

需要對電鍍工藝參數(shù)進行穩(wěn)定控制，以確保鍍層的一致性和可靠性。

總之，芯片金電極的電鍍工藝是一個復雜且精細的過程，需要嚴格控制每個環(huán)節(jié)，從基片準備到最終的質量檢驗，每一步都至關重要。通過合理的工藝設計和嚴格的質量控制，可以有效提高金電極的性能和可靠性。