據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報(bào)告顯示，據(jù)悉，蘋(píng)果正積極考慮在其未來(lái)的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項(xiàng)名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際投入使用，預(yù)計(jì)最早可在2026年看到成果，屆時(shí)，iPhone手機(jī)內(nèi)部的儲(chǔ)存空間將有望突破2TB的界限。

QLC NAND簡(jiǎn)稱(chēng)“四層單元”，這是一種極具前瞻性的閃存技術(shù)，其獨(dú)特之處在于每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能容納多達(dá)4位的數(shù)據(jù)信息。相較于傳統(tǒng)的TLC NAND（三層單元），QLC NAND的存儲(chǔ)密度得到了顯著提升，高達(dá)33%之多。

雖然QLC NAND在面對(duì)大量寫(xiě)入操作時(shí)可能會(huì)面臨挑戰(zhàn)，但其極高的存儲(chǔ)密度使其成為了大容量存儲(chǔ)應(yīng)用的首選方案。蘋(píng)果公司計(jì)劃借助此項(xiàng)技術(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)iPhone的存儲(chǔ)性能，以應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。據(jù)集邦咨詢的預(yù)測(cè)，蘋(píng)果正全力推動(dòng)QLC NAND技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)程，其目標(biāo)是將iPhone的內(nèi)置存儲(chǔ)空間提升至2TB的驚人水平。

此外，蘋(píng)果公司也在深入探討如何運(yùn)用NAND閃存技術(shù)來(lái)存儲(chǔ)大型語(yǔ)言模型（LLMs），從而實(shí)現(xiàn)在本地運(yùn)行更多的人工智能任務(wù)。向QLC NAND閃存的轉(zhuǎn)型或許將有助于提升Apple Intelligence的整體表現(xiàn)，讓其能夠更加高效地處理各種復(fù)雜的人工智能計(jì)算任務(wù)。