半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團(tuán)（Lam Research）近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲(chǔ)器制造設(shè)計(jì)的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。據(jù)泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁Sesha Varadarajan介紹，這一技術(shù)革新標(biāo)志著向?qū)崿F(xiàn)1000層堆疊3D NAND Flash閃存生產(chǎn)的宏偉目標(biāo)邁出了堅(jiān)實(shí)步伐。

作為行業(yè)內(nèi)的技術(shù)先鋒，泛林集團(tuán)的低溫蝕刻技術(shù)已成功應(yīng)用于超過五百萬片晶圓的生產(chǎn)，而Lam Cryo 3.0的推出，無疑是3D NAND Flash閃存制造領(lǐng)域的一次重大飛躍。該技術(shù)能夠在埃米級(jí)精度上塑造出高深寬比的圖形特征，同時(shí)顯著減少對(duì)環(huán)境的負(fù)擔(dān)，其蝕刻效率是傳統(tǒng)介電技術(shù)的兩倍以上，彰顯了其在效率與精準(zhǔn)度上的雙重優(yōu)勢(shì)。

針對(duì)AI時(shí)代對(duì)NAND Flash閃存制造提出的更高要求，Lam Cryo 3.0應(yīng)運(yùn)而生，專為解決關(guān)鍵制造難題而生。在構(gòu)建3D NAND Flash閃存時(shí)，細(xì)長(zhǎng)且垂直貫穿各層的孔道是實(shí)現(xiàn)層間存儲(chǔ)單元互聯(lián)的關(guān)鍵。然而，即便是原子級(jí)別的細(xì)微偏差，也可能對(duì)產(chǎn)品的電氣性能和最終良率造成不利影響。

為了克服這一挑戰(zhàn)，Lam Cryo 3.0集成了高能密閉式等離子反應(yīng)器、超低溫工作環(huán)境（遠(yuǎn)低于0°C）以及創(chuàng)新的化學(xué)蝕刻材料，實(shí)現(xiàn)了深寬比高達(dá)50:1、深度可達(dá)10微米的通道蝕刻，且從頂部到底部的特征尺寸偏差控制在驚人的0.1%以內(nèi)。相比傳統(tǒng)技術(shù)，Lam Cryo 3.0不僅將蝕刻速度提升至2.5倍，還實(shí)現(xiàn)了能耗降低40%和排放量減少90%的環(huán)保成就，為未來更高層數(shù)堆疊的3D NAND Flash閃存生產(chǎn)提供了理想的解決方案。