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萬年芯:“國家隊”出手!各國角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)

萬年芯微電子 ? 2024-08-10 10:07 ? 次閱讀

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力,已在新能源汽車、光儲充、智能電網(wǎng)、5G通信微波射頻、消費電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高應(yīng)用價值,并具有較大的遠景發(fā)展空間。以碳化硅為例,根據(jù)咨詢機構(gòu)報告,預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元(約663.53億人民幣)。在萬年芯等企業(yè)看來,各國“國家隊”的出手,正是為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)健發(fā)展伸出援手。

“國家隊”出手,細看各國對碳化硅/氮化鎵政策

wKgZoma2yhKAU6eWAANiFI_d8Pk772.png圖片源于集邦化合物半導(dǎo)體

早在2021年,國內(nèi)就出臺了一系列相關(guān)政策,全面加大了對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持和投入力度(如圖所示)。而近期,河北、陜西等省發(fā)布了第三代半導(dǎo)體相關(guān)支持政策,表明各地進一步加大對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持力度。其中,河北印發(fā)的《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個細分行業(yè)發(fā)展的若干措施》,包括在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領(lǐng)域組織實施一批技術(shù)改造項目,積極爭取將在建和擬建第三代半導(dǎo)體重點項目納入國家“十四五”重大項目儲備庫。陜西則印發(fā)《陜西省培育千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群行動計劃》,將重點開展第三代半導(dǎo)體材料工藝技術(shù)與核心產(chǎn)品攻關(guān),打通晶體材料高效生長、器件設(shè)計制造等產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵節(jié)點,打造千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群。

國際方面,美國政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,特別是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。美國通過《芯片與科學(xué)法案》(Chips for America Act)等立法,提供資金支持和稅收優(yōu)惠,以促進本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此外,美國還通過國防高級研究計劃局(DARPA)等機構(gòu),支持第三代半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用。歐盟通過“地平線2020”計劃(Horizon 2020)等項目,支持半導(dǎo)體材料的研究和創(chuàng)新。歐盟還通過“歐洲共同利益重要項目”(IPCEI)等機制,提供資金支持,促進成員國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作和創(chuàng)新。此外,日本通過“新經(jīng)濟成長戰(zhàn)略”等政策,韓國通過“半導(dǎo)體超級大國戰(zhàn)略”等政策,德國政府通過“高科技戰(zhàn)略”等政策,支持半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,其中包括促進第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展。目前,全球各國都在從政策方面持續(xù)對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進行引導(dǎo)和扶持,有助于推動第三代半導(dǎo)體在各個領(lǐng)域的進一步滲透。

“惠及”上下游,加碼三代半產(chǎn)業(yè)扶持

除政策引導(dǎo)和扶持外,在資金補貼方面,各國對于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展投入較大,且正在不斷加碼。

這些補助體現(xiàn)了各國政府對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要性的認識,以及確保本國在全球第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中保持競爭力的決心。通過這些補助,各國旨在推動第三代半導(dǎo)體技術(shù)升級、產(chǎn)能擴大。

除此之外,各國“國家隊”在多個方面支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商,參與這場日益火熱的全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爭奪戰(zhàn)。“國家隊”出手,在壯大本國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實力的同時,有望帶動更多本國廠商加入投建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大軍。在政策扶持和資金支持雙重力量推動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)加速發(fā)展態(tài)勢,從項目落地實施方面可窺見一斑。僅2024年上半年,國內(nèi)就有數(shù)十個碳化硅相關(guān)項目披露新進展。而在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面,通過產(chǎn)學(xué)研合作,國家主導(dǎo)建設(shè)的科研機構(gòu)和高校助力三代半相關(guān)廠商加速實現(xiàn)技術(shù)升級迭代和產(chǎn)業(yè)化。

萬年芯:三代半企業(yè)應(yīng)專注研發(fā),迎接政策

各國對于三代半產(chǎn)業(yè)的引導(dǎo)和扶持,體現(xiàn)了對相關(guān)領(lǐng)域的重視,有助于加速技術(shù)突破。同時,國家的重視和支持,還能夠帶動地方政府和民間資本的投入,形成國家引導(dǎo)、地方支持、民間投資的多元化投融資格局。在萬年芯看來,這也為國內(nèi)外眾多三代半企業(yè)打了一劑強心針。

關(guān)于碳化硅功率器件,萬年芯研發(fā)包含SiC PIM模塊、智能功率模塊(IPM)、半橋SiC模塊和超低內(nèi)阻SiC MOSFET等。SiC IPM模塊系列產(chǎn)品,封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片,內(nèi)置性能強大的驅(qū)動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片,電壓650V~1200V,功率300~5000W,適用于驅(qū)動電機的變頻器和各種逆變電源;超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品,采用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu),650V系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐,1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐;TO247-4PHC封裝具有強大的過流能力(持續(xù)電流200A)、耐壓能力(3300V),適用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。

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江西萬年芯微電子有限公司成立于2017年,是一家專業(yè)從事集成電路、存儲芯片、傳感器類產(chǎn)品、大功率模塊及功率器件等封裝測試研發(fā)的高新科技企業(yè)。目前已獲得國內(nèi)專利134項,是國家專精特新“小巨人”企業(yè)、“國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)”,擁有國家級博士后工作站,為海關(guān)AEO高級認證企業(yè),將堅持以實力推動科技創(chuàng)新的高質(zhì)量發(fā)展。

整體來看,各國引導(dǎo)和扶持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),不僅能夠推動產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級,還能夠在保障產(chǎn)業(yè)鏈安全、提升國際競爭力等方面發(fā)揮重要作用。隨著各國加大扶持力度,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國際競爭將加劇。

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