近日，第十八屆全國MOCVD學術會議于湖北恩施成功落下帷幕。中微公司MOCVD技術團隊受邀出席了此次盛會并在《材料生長、表征與裝備》技術論壇發(fā)表主題演講，和MOCVD領域的學界泰斗與產業(yè)先鋒們共話產業(yè)發(fā)展的未來趨勢。

自1989年首屆召開以來，全國MOCVD學術會議每兩年一屆，見證了中國MOCVD技術與化合物半導體材料研究從萌芽到繁盛的輝煌歷程。本次會議在湖北恩施舉辦，議題廣泛，涵蓋了MOCVD生長機理與外延技術、MOCVD設備（整機/部件/配件/原材料）、材料結構與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯(lián)網(wǎng)、半導體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術等領域，有力促進了產業(yè)鏈上下游的深度融合與協(xié)同發(fā)展。

中微公司MOCVD工藝技術高級總監(jiān)胡建正博士受邀在《材料生長、表征與裝備》技術論壇作了題為《采用PRISMO HiT3 MOCVD進行紫外LED的外延生長優(yōu)化》的技術分享。演講直擊UV LED技術的核心挑戰(zhàn)，揭示了與藍綠光LED相比，紫外領域尚待跨越的效率與壽命鴻溝，并展示了中微公司的創(chuàng)新解決方案，引起在場嘉賓的廣泛關注。

胡建正博士深入剖析了中微公司PRISMO HiT3 MOCVD系統(tǒng)在外延工藝上的精妙運用，通過精密調控襯底圖案、優(yōu)化緩沖層策略與載氣流速，實現(xiàn)了位錯密度低至7x108cm-2的高質量AlN晶體，為高性能紫外LED奠定了堅實基礎。此外，PRISMO HiT3采用漸變鋁組分超晶格策略與先進鎂摻雜技術，有效調控應力與提升摻雜效率，加之精心設計的多量子阱結構，減少了極化效應，使電子與空穴注入效率顯著增強，275nm深紫外LED的光輸出功率躍升20%。

面向未來，中微公司將堅持貫徹“三維發(fā)展戰(zhàn)略”，持續(xù)踐行和倡導“四個十大”的企業(yè)文化，矢志不渝追求技術創(chuàng)新，與業(yè)界伙伴緊密合作，共謀MOCVD產業(yè)的璀璨明天。

關于中微半導體設備（上海）股份有限公司

中微半導體設備（上海）股份有限公司（證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012）致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領先的加工設備和工藝技術解決方案。中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備是制造各種微觀器件的關鍵設備，可加工微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產業(yè)的基礎，它們正在改變人類的生產方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶先進工藝的眾多刻蝕應用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備已在客戶生產線上投入量產，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領先地位。