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GaN HEMT驅(qū)動芯片NSD2017助力解決激光雷達(dá)應(yīng)用挑戰(zhàn)

納芯微 ? 來源:納芯微 ? 作者:納芯微 ? 2024-08-22 09:23 ? 次閱讀

自動駕駛新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向,而具備強(qiáng)感知能力的激光雷達(dá)則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動芯片NSD2017,專為激光雷達(dá)發(fā)射器中驅(qū)動GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)而設(shè)計,助力應(yīng)對激光雷達(dá)應(yīng)用中的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。

1)激光雷達(dá)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)介紹

自動駕駛中使用的激光雷達(dá)通常采用DToF(Direct Time-of-Flight)測距方式,即通過直接測量激光的飛行時間來進(jìn)行距離測量和地圖成像。下圖為DToF激光雷達(dá)系統(tǒng)的典型結(jié)構(gòu),其中信號處理單元通過記錄激光發(fā)射器發(fā)出光脈沖的時刻,以及激光接收器收到光脈沖的時刻,根據(jù)時間間隔和光速即可計算出目標(biāo)距離。

wKgZombGkeeAPSjzAADiTbOtTpw958.png圖源:納芯微

DToF激光雷達(dá)典型系統(tǒng)

激光雷達(dá)為了實(shí)現(xiàn)高分辨率與寬檢測范圍,需要極窄的激光脈沖寬度、極快的激光脈沖頻率和極高的激光脈沖功率,這對激光發(fā)射器中功率開關(guān)器件的性能提出了更高的要求。相比傳統(tǒng)的Si MOSFET,GaN HEMT具有更優(yōu)越的開關(guān)特性,非常適合DToF激光雷達(dá)應(yīng)用。GaN HEMT的性能表現(xiàn)依賴于高速、高驅(qū)動能力和高可靠性的GaN柵極驅(qū)動芯片,NSD2017憑借其優(yōu)異的產(chǎn)品特性,充分發(fā)揮了GaN HEMT在激光雷達(dá)中的優(yōu)勢。

2)NSD2017產(chǎn)品特性

- 推薦工作電壓:4.75V~5.25V

- 峰值拉灌電流:7A/5A

- 最小輸入脈寬: 1.25ns

- 傳輸延時: 2.6ns

- 脈寬畸變: 300ps

- 上升時間@220pF負(fù)載: 650ps

- 下降時間@220pF負(fù)載: 850ps

- 封裝:DFN6(2mm*2mm),WLCSP(1.2mm*0.8mm)

- 滿足AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證

- 同相和反相輸入引腳可用于產(chǎn)生極窄脈寬

- 具備UVLO、OTSD保護(hù)

wKgaombGkgiABXn8AAC-r0lN-ng820.png圖源:納芯微

NSD2017典型應(yīng)用框圖

3) NSD2017關(guān)鍵性能應(yīng)對激光雷達(dá)應(yīng)用挑戰(zhàn)

1. 大電流驅(qū)動能力,支持激光雷達(dá)遠(yuǎn)距離探測

激光雷達(dá)的遠(yuǎn)距離探測能力使自動駕駛車輛能夠提前發(fā)現(xiàn)障礙物并及時避讓,從而提升自動駕駛速度上限。為實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)的探測距離,通常需要在保證不損傷人眼的前提下,采用更大功率的激光發(fā)射器,這就需要更大電流的GaN HEMT以及驅(qū)動能力更高的驅(qū)動芯片。納芯微的NSD2017具備7A峰值拉電流和5A灌電流能力,可用于驅(qū)動大電流GaN HEMT,從而產(chǎn)生高峰值激光功率,實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離探測。

2. 極窄輸入脈寬,滿足激光雷達(dá)高測距精度要求

DToF激光雷達(dá)通過測量脈沖激光發(fā)射和接收的時間間隔來實(shí)現(xiàn)測距,但是如果來自兩個相鄰目標(biāo)的反射光脈沖發(fā)生重疊,系統(tǒng)將無法分辨出這兩個相鄰目標(biāo)的距離信息。為了滿足厘米級別的距離分辨率的要求,激光雷達(dá)需要極窄的光脈沖寬度,通常低至幾納秒,并且具有快速的上升沿和下降沿。NSD2017的最小輸入脈寬典型值僅為1.25ns,且開啟和關(guān)斷路徑具有優(yōu)異的延遲匹配,輸入到輸出的脈沖寬度失真低至300ps。此外在220nF負(fù)載下,NSD2017的上升時間典型值為650ps,下降時間典型值為850ps,也有利于產(chǎn)生更窄的脈沖激光。

wKgZombGkhaACBwtAAGqHlEpmvo982.png圖源:納芯微

NSD2017最小輸入脈寬測試,Ch1為輸入波形,Ch2為輸出波形

3. 小封裝和高頻開關(guān),優(yōu)化激光雷達(dá)角分辨率與點(diǎn)頻性能

激光雷達(dá)的角分辨率表示掃描過程中相鄰兩個激光點(diǎn)之間的角度差,點(diǎn)頻則表示在三維視場內(nèi)每秒發(fā)出的激光點(diǎn)數(shù)。一般來說,激光雷達(dá)的角分辨率越小,相鄰點(diǎn)云之間越密集,往往點(diǎn)頻越高,激光雷達(dá)的感知能力也就越強(qiáng)。為實(shí)現(xiàn)更高的角分辨率和點(diǎn)頻,激光雷達(dá)需要布置更多的激光發(fā)射器,因而對驅(qū)動芯片的封裝尺寸提出了更高的要求。NSD2017車規(guī)級芯片不但提供DFN (2mm*2mm)封裝,還可以提供更小尺寸的WLCSP (1.2mm*0.8mm)封裝。NSD2017支持最高60MHz開關(guān)頻率,傳輸延時典型值低至2.6ns,確保了系統(tǒng)控制環(huán)路具有足夠快的響應(yīng)時間,也有利于提高激光雷達(dá)點(diǎn)頻性能。

wKgZombGkiuADFUOAAG2vAFxZk8918.png圖源:納芯微

NSD2017傳輸延時測試,Ch1為輸入波形,Ch2為輸出波形

4. 強(qiáng)抗干擾能力,保證激光雷達(dá)的安全可靠

在激光發(fā)射器中,為了快速開關(guān)GaN HEMT,柵極驅(qū)動芯片外部的柵極串聯(lián)電阻通常設(shè)置為零;柵極驅(qū)動芯片的峰值拉電流和灌電流,會通過芯片的封裝寄生電感和PCB寄生電感,引起芯片內(nèi)部的VDD和GND產(chǎn)生較大的抖動,從而可能導(dǎo)致驅(qū)動電路工作異常。NSD2017通過優(yōu)化封裝寄生電感,并且在芯片內(nèi)部集成去耦電容,有效地濾除驅(qū)動電路抽載產(chǎn)生的高壓毛刺,從而提升了抗噪聲能力。此外,NSD2017具備過溫保護(hù)和欠壓保護(hù)功能,保證激光雷達(dá)安全可靠地工作。

4)總結(jié)

GaN HEMT柵極驅(qū)動芯片NSD2017具備高開關(guān)頻率、低傳輸延時、極窄脈寬、低失真、強(qiáng)驅(qū)動能力和抗干擾等特性,采用小尺寸車規(guī)級封裝,能夠助力應(yīng)對激光雷達(dá)各項(xiàng)應(yīng)用挑戰(zhàn),提升感知能力,確保其安全可靠運(yùn)行。

審核編輯 黃宇

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