引言

在當(dāng)今快節(jié)奏的科技生活中，隨著便攜式電子設(shè)備已成為我們?nèi)粘２豢苫蛉钡囊徊糠?，這些設(shè)備對鋰電池續(xù)航能力和安全性的要求也越來越高，《便攜式電子產(chǎn)品用鋰離子電池和電池組―安全要求》（GB 31241-2014）中明確強(qiáng)調(diào)了溫度保護(hù)和精準(zhǔn)的過流保護(hù)的重要性。深圳市德微辰芯技術(shù)有限公司立足于最新的市場需求，由原TI技術(shù)專家、現(xiàn)德微辰芯CTO帶隊(duì)與晶圓廠共同合作，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，已成功設(shè)計(jì)并量產(chǎn)出兩款能助力電池符合國標(biāo)（GB31241-2022），帶溫度保護(hù)的單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片——DV6011（過流精度為±0.5mv，精密電阻檢流型）、DV6205（MOS內(nèi)阻檢流型）。產(chǎn)品可應(yīng)用于智能手機(jī)、數(shù)碼產(chǎn)品、智能穿戴、便攜式設(shè)備等市場。

“集頂尖科技，性能至上”——DV6011（精密電阻檢流型）

核心亮點(diǎn)

• 高精度高低溫保護(hù) ：DV6011特別設(shè)計(jì)了精準(zhǔn)的溫度監(jiān)測機(jī)制，可實(shí)現(xiàn)高溫充電保護(hù)、高溫充放電保護(hù)、低溫充電保護(hù)、低溫充放電保護(hù)，保護(hù)精度已達(dá)業(yè)內(nèi)頭部水平± 3℃ 。
• 超高精度的過流檢測： DV6011創(chuàng)新性的開發(fā)一種新型的低電壓檢測技術(shù)，內(nèi)部增加補(bǔ)償電路，使過流精度一直處于±0.5mv范圍內(nèi) （ 精度較日系競品提升30% ） ，極大降低了LPS等項(xiàng)目設(shè)計(jì)難度。低檢測電壓可使用更低的檢流電阻，解決快充的發(fā)熱問題。
• 超低功耗： DV6011采用業(yè)內(nèi)先進(jìn)的“亞閾值”控制技術(shù)，典型耗電僅為 2uA， 保證內(nèi)部模塊功能前提下降低耗電，從而減少了整個(gè)芯片的功耗，已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
• 雙IC方案： DV6011可實(shí)現(xiàn)雙IC保護(hù)（主、次保護(hù)）方案，在快速充電過程中更安全、更全面守護(hù)電池安全。
• ESD防護(hù)強(qiáng)： DV6011通過優(yōu)化ESD泄放管結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了性能與面積的最佳平衡，同時(shí)在“ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017”ESD測試標(biāo)準(zhǔn)下，DV6011的 HBM模式可達(dá)±4kV（Class 3A） ，遠(yuǎn)超消費(fèi)品±2kV的標(biāo)準(zhǔn)，極大降低生產(chǎn)時(shí)因ESD損壞的概率，提高產(chǎn)線良率。
• 外部控制： DV6011提供外部控制引腳CTL，可以通過在CTL上添加不同的信號進(jìn)行充放電控制，極大方便用戶進(jìn)行產(chǎn)品調(diào)試和產(chǎn)品特色設(shè)計(jì)（細(xì)節(jié)需查閱最新DV6011規(guī)格書）。

“DV6011青春版”——DV6205（MOS內(nèi)阻檢流型）

核心亮點(diǎn)

• DV6025 在保留DV6011高精度高低溫保護(hù)、超低功耗、ESD防護(hù)核心亮點(diǎn)基礎(chǔ)上，根據(jù)客戶需求增加了船運(yùn)控制功能，并通過改良工藝解決了實(shí)際生產(chǎn)中常遇到的休眠問題。
• 船運(yùn)功能： DV6205提供的“船運(yùn)功能”，可有效降低運(yùn)輸中的整體消耗電流，非常利于小容量鋰電池和需長途運(yùn)輸?shù)膽?yīng)用環(huán)境。同時(shí)，DV6205 的船運(yùn)功能增加了防誤觸發(fā)的判斷機(jī)制，可以極大概率避免產(chǎn)線生產(chǎn)時(shí)誤進(jìn)入船運(yùn)模式的情況。
• 解決生產(chǎn)問題:DV6205通過在芯片內(nèi)部添加防護(hù)層和優(yōu)化芯片生產(chǎn)制造工藝，極大降低了生產(chǎn)時(shí)芯片異常休眠概率，根本上解決了產(chǎn)線生產(chǎn)中因測試、高溫等環(huán)境下產(chǎn)生的過充精度漂移問題。
  

名詞解釋：

亞閾值： 指MOSFET的一種工作狀態(tài)。我們一直假設(shè)：當(dāng)柵源電壓Vgs下降到低于Vth時(shí)器件會突然關(guān)斷。實(shí)際上當(dāng)MOSFET的Vgs≈Vth，一個(gè)“弱”的反型層仍然存在，并有一些源漏電流①。該種工作狀態(tài)使得MOSFET獲得更大的增益，非常利于低電壓，低功耗的應(yīng)用。

參考文獻(xiàn)

[1]畢查德?拉扎維. 模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)[M]. 西安: 西安交通大學(xué)出版社, 2003

審核編輯 黃宇