吸收電路參數(shù)之間的關(guān)系,并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間,最后通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓?fù)浼捌?b class='flag-5'>等
發(fā)表于 04-23 11:25
MOSFET 的極間電容較大,其等效電路如圖 1 所示,輸入電容 Ciss,輸出電容 Coss 和反饋電容 Crss 與極間電容的關(guān)系可表示為:
功率 MOSFET 的柵極輸入端相當(dāng)于一個(gè)容性網(wǎng)絡(luò),它
發(fā)表于 03-27 14:48
Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí),大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實(shí)際上,在不同的應(yīng)用電路中,Power MOSFET
發(fā)表于 03-24 15:03
MOSFET輸入電容,Rg為MOSFET的柵極電阻。
VGS電壓從0增加到開(kāi)啟閾值電壓VTH前,漏極沒(méi)有電流流過(guò),時(shí)間t1為:
VGS電壓從VTH增加到米勒平臺(tái)電壓VGP的時(shí)間t
發(fā)表于 02-26 14:41
等效電阻ESR是晶體在等效電路中的總電阻。諧振電阻RR是晶振本身的電阻值。大小取決于晶體的內(nèi)部摩
發(fā)表于 01-24 14:45
?688次閱讀
全方位解剖MOS管 功率MOSFET的正向?qū)?b class='flag-5'>等效電路 (1):等效電路 (2):說(shuō)明: 功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻
發(fā)表于 11-20 09:50
?758次閱讀
外接電阻法測(cè)等效電阻是一種在電路分析中常用的測(cè)量方法,它主要用于測(cè)量電路中各個(gè)元件的等效
發(fā)表于 09-29 11:01
?1216次閱讀
上沒(méi)有給出相關(guān)的公式計(jì)算,只有一個(gè)計(jì)算好的table1。
請(qǐng)問(wèn)從RIT上放看進(jìn)去的等效輸入電阻是怎么計(jì)算的呢?
發(fā)表于 09-13 06:30
的等效電路主要包括靜態(tài)電容C0、動(dòng)態(tài)電容C1、諧振電阻R1、動(dòng)態(tài)電感L1等組件。
1. 靜態(tài)電容C0:C0是晶體兩引腳之間的電容,與晶片電極面積和頻率大小呈正比。C0的控制對(duì)頻率穩(wěn)定性至關(guān)重要,一般控制在
發(fā)表于 09-11 16:33
變壓器T型等效電路是分析變壓器性能的重要工具,它將變壓器復(fù)雜的電磁關(guān)系簡(jiǎn)化為電阻、電抗等基本電路元件的組合。該等效電路中的各參數(shù)具有明確的物
發(fā)表于 08-20 16:59
?9380次閱讀
微變等效電路是一種用于分析電路中微小變化的電路模型,它可以幫助我們更好地理解和預(yù)測(cè)電路在不同條件下的行為。 一、微變等效電路的概念 1.1
發(fā)表于 08-16 15:31
?2245次閱讀
諾頓等效電路是電路分析中常用的一種方法,它將一個(gè)線性二端網(wǎng)絡(luò)等效為一個(gè)電流源和一個(gè)電阻的串聯(lián)組合。然而,在某些情況下,諾頓等效電路可能不存在
發(fā)表于 08-07 09:16
?1166次閱讀
諾頓等效電路的短路電流(Isc)是計(jì)算諾頓等效電路中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,它代表了當(dāng)電路中的兩個(gè)端口被短接時(shí)流過(guò)的電流。以下是計(jì)算諾頓等效電路短路電流的基本步驟和方法: 一、基本概念 諾頓
發(fā)表于 08-07 09:15
?2984次閱讀
在電路分析與設(shè)計(jì)中,等效電阻是一個(gè)核心概念,它幫助工程師簡(jiǎn)化復(fù)雜電路,預(yù)測(cè)電路行為,并優(yōu)化
發(fā)表于 08-06 17:43
?2485次閱讀
電流源串聯(lián)一個(gè)電阻的等效電路分析,主要基于電路理論中的“去耦”或“等效變換”原則。在理想情況下(即電流源為無(wú)窮大內(nèi)阻的理想源),串聯(lián)的電阻實(shí)
發(fā)表于 08-06 17:33
?9831次閱讀
評(píng)論