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簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路,看Rds和Rg電阻損耗

貿(mào)澤電子設(shè)計(jì)圈 ? 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-10-31 15:43 ? 次閱讀
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簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路

MOSFET開(kāi)通(turn on)過(guò)程

MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗

Diode損耗——肖特基不計(jì)反向恢復(fù)損耗

L/C損耗

IC損耗

小結(jié)

綜合上述分析可知,影響效率的因素主要有Rds(on),開(kāi)關(guān)頻率,有效值電流。

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原文標(biāo)題:影響B(tài)UCK電源效率的關(guān)鍵因素竟是這幾點(diǎn)......

文章出處:【微信號(hào):Mouser-Community,微信公眾號(hào):貿(mào)澤電子設(shè)計(jì)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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