紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)近來心情極好，逢人就笑開懷，更在央視《對(duì)話》節(jié)目和烏鎮(zhèn)互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)論壇上暢談打造中國(guó)“芯”的夢(mèng)想。

圖丨烏鎮(zhèn)互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)論壇上的趙偉國(guó)

能讓趙偉國(guó)這么開心，正是因?yàn)榻谧瞎馄煜碌拈L(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā) 32 層 64G 的 3D NAND 芯片，搶下中國(guó)存儲(chǔ)自制芯片的第一名，對(duì)于實(shí)現(xiàn)打破國(guó)際大廠壟斷局面的目標(biāo)，跨出關(guān)鍵性一大步！

圖丨長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32層64G的3DNAND芯片

不可否認(rèn)的是，當(dāng)前中國(guó)半導(dǎo)體的艱難局面來自于：中國(guó)身為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，但卻必須高度依賴進(jìn)口，以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 芯片為例，9 成以上都依靠國(guó)際大廠。而要打破這樣的局面，DT 君認(rèn)為，關(guān)鍵就在 2019 年！

2019 年，中國(guó)三大存儲(chǔ)陣營(yíng)的技術(shù)開發(fā)成果將見真章，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的下一代的 64 層 3D NAND 芯片、聯(lián)電扶植的福建晉華集成的 2x 納米技術(shù)，以及合肥睿力的 19 納米 DRAM 技術(shù)。

這關(guān)鍵的 DRAM 和 3D NAND 技術(shù)研發(fā)成果，究竟會(huì)石破天驚打破國(guó)際大廠的壟斷？抑或只是丑媳婦終究是要見公婆？這問題的答案，將決定未來十年中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的命運(yùn)。

自主 DRAM 和 3D NAND 技術(shù)這條道路，中國(guó)才處于萌芽階段，但已可以感受到前方是荊棘密布，伴隨刀光劍影的跨國(guó)法律大戰(zhàn)。也就是因?yàn)槿绱?，有人開始質(zhì)疑，為什么不走捷徑，干脆與國(guó)際大廠技術(shù)授權(quán)合作，既可以合法合規(guī)的生產(chǎn)芯片，又可免除接連不斷的司法威脅？反正破財(cái)消災(zāi)，付該付的錢，就能生產(chǎn)自有芯片，照樣能夠支持國(guó)內(nèi)需求。

但醍醐灌頂與飲鴆止渴之間的差別有多大，其實(shí)就在于一念之間。多位具有豐富存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)的高層人士告訴 DT 君，大陸萬萬不可再像***一樣，走上拿技術(shù)授權(quán)、幫大廠代工的老路。

回顧*** DRAM 過去 20 年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步，講白了，等于是為美、日、歐等國(guó)大廠打了 20 年工，到最后仍是無法擁有自己的技術(shù)，只換來“生產(chǎn)成本最低的 DRAM 廠”的稱號(hào)。當(dāng)外國(guó)人基于自身營(yíng)運(yùn)窘迫，或是另有考量而要收回技術(shù)授權(quán)時(shí)，*** DRAM 廠頓時(shí)面臨技術(shù)斷炊的窘境，股價(jià)重挫是必然的結(jié)果。

但更讓人痛心的，是二十年心血一朝付諸東流的現(xiàn)實(shí)，因?yàn)槊慨?dāng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展陷入衰退期，DRAM 廠面臨的不是低毛利率，而更可能是負(fù)毛利率的處境，每天燒掉幾千萬都不是新鮮事。不用多久，就會(huì)面臨營(yíng)運(yùn)資金短缺的狀況，到那時(shí)，就只有將手上的晶圓廠便宜賣給外國(guó)人。20 年的苦心經(jīng)營(yíng)，最后落到技術(shù)也拿不到、晶圓廠也保不住，仔細(xì)想想，有哪一家企業(yè)承受得起這樣的重?fù)簟?/p>

前車之鑒不遠(yuǎn)，在存儲(chǔ)半導(dǎo)體這條路上，中國(guó)大陸廠商應(yīng)該很清楚，不能再踏上這條不歸路，再怎么苦，也要堅(jiān)持技術(shù)自主！

圖丨紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁高啟全

紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁高啟全就認(rèn)為，中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)芯片不能再走授權(quán)代工的路，一定要技術(shù)自主開發(fā)，用到別人的專利就付錢，同時(shí)也累積自己手上的專利實(shí)力，如果最后真的無法成功，那也必須接受事實(shí)。

福建晉華總經(jīng)理陳正坤曾被問及為什么要加入聯(lián)電和中國(guó)大陸 DRAM 技術(shù)合作研發(fā)計(jì)劃，陳正坤感性但一針見血的說，當(dāng)年瑞晶被美光兼并這件事對(duì)他的沖擊非常大，且自主開發(fā) DRAM 技術(shù)一直是他心中的夢(mèng)想，希望這個(gè)夢(mèng)想從他這里播種開花！

圖丨福建晉華總經(jīng)理陳正坤

高啟全、陳正坤都曾經(jīng)是在過去 20 年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身經(jīng)百戰(zhàn)的沙場(chǎng)老將，他們的感嘆，是 20 年的血淚，但現(xiàn)在，這群人帶著前錯(cuò)不再犯的決心，要將中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扭轉(zhuǎn)乾坤。

以目前全球三大 DRAM 陣營(yíng)的勢(shì)力分布來看，三星、SK 海力士、美光的市占率分別為 46%、27%、21%，意即全球 DRAM 芯片有超過 90% 都掌握在韓美兩國(guó)手上，尤其是韓國(guó)，手握超過 70% 的 DRAM 芯片，而中國(guó)必須成為全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)除了韓、美以外的第三大勢(shì)力，才能平衡產(chǎn)業(yè)生態(tài)，也才能在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中取得上桌談判的資格。

圖丨全球三大DRAM 廠商

其實(shí)，DRAM 技術(shù)的研發(fā)，真正的困難點(diǎn)不在技術(shù)本身，而是 DRAM 專利都已經(jīng)被國(guó)際大廠牢牢握住，要避開所有現(xiàn)有的專利來進(jìn)行開發(fā)，才是真正的障礙。即使中國(guó)廠商千辛萬苦創(chuàng)新突破完成 DRAM 技術(shù)研發(fā)，很可能還不到量產(chǎn)階段，就先收到三星、SK 海力士控告專利侵權(quán)的律師函。

事實(shí)上，美國(guó)與韓國(guó)大廠以法律當(dāng)武器恫嚇對(duì)手的做法，早已是屢見不鮮的事，這幾天，美光就針對(duì)聯(lián)電和福建晉華目前仍在研發(fā)階段的 DRAM 技術(shù)，在美國(guó)提出涉嫌妨礙運(yùn)營(yíng)機(jī)密的控告。而這并不是美光第一次出手阻止中國(guó)廠商的 DRAM 研發(fā)計(jì)劃。

時(shí)間拉回 2017 年初的新年前，美光為了防止員工跳槽，趁著這批人回家過年時(shí)，在***提出妨礙營(yíng)業(yè)機(jī)密訴訟，進(jìn)行大規(guī)模約談，并對(duì)其中部份人員限制出境。這個(gè)消息當(dāng)時(shí)震驚了存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，讓人見識(shí)到美國(guó)大廠強(qiáng)悍作風(fēng)，但在其中，卻也嗅得出美光對(duì)于中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)超高度防備警戒。

也因?yàn)槿绱?，福建晉華、合肥睿力兩大 DRAM 技術(shù)陣營(yíng)從一開始，就維持極為低調(diào)的行事風(fēng)格，關(guān)起門來專心研發(fā)。

但現(xiàn)在這兩大陣營(yíng)的難處在于，研發(fā)初期的設(shè)定主要是參考和模擬美光 DRAM 的技術(shù)和流程，由于美光設(shè)下天羅地網(wǎng)的法律手段嚇阻任何可能的技術(shù)抄襲，讓福建晉華與合肥睿力都必須規(guī)避美光的設(shè)計(jì)，改走韓系大廠路線，但這樣的轉(zhuǎn)變，挑戰(zhàn)相當(dāng)大，會(huì)不會(huì)導(dǎo)致研發(fā)和量產(chǎn)時(shí)程延后，恐要進(jìn)一步觀察。

但是，美光等大廠的擔(dān)心不是沒有道理的，2017 年底，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)傳出的長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā) 32 層 3D NAND 芯片的好消息，不但讓趙偉國(guó)眉開眼笑，也讓國(guó)際大廠感受到實(shí)實(shí)在在的壓力。

2017 年 11 月初，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)投入研發(fā)將近兩年的 3D NAND 芯片，在搭配 NAND Flash 控制芯片置入 SSD，且連接上終端系統(tǒng)后，該系統(tǒng)成功“動(dòng)”起來。

這驚天一“動(dòng)”，背后代表的意義，是首顆中國(guó)制的 3D NAND 芯片成功通過終端產(chǎn)品的測(cè)試，宣告研發(fā)成功，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)向前邁進(jìn)了一大步。這樣的消息，或許可以解讀為長(zhǎng)江存儲(chǔ)投入研發(fā) 3D NAND 芯片的初步成功，但也不要太快陷入驕傲的迷思里，因?yàn)榫嚯x實(shí)際的成功，仍有一段很長(zhǎng)的路。

首先，長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的這顆 3D NAND 芯片是 32 層技術(shù)，對(duì)比三星電子、美光、東芝、SK 海力士主流的 64 層和 72 層技術(shù)，還有一段距離，而這些國(guó)際大廠在 2018 年即將大步跨入 96 層 3D NAND 技術(shù)，驅(qū)動(dòng)芯片的密度提升、成本再下降。

圖丨長(zhǎng)江存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手技術(shù)推進(jìn)時(shí)間表

再者，研發(fā)成功和商業(yè)化量產(chǎn)，是兩個(gè)截然不同的層次。研發(fā)成功雖然是關(guān)鍵的第一步，但并非是芯片量產(chǎn)的保證。

芯片要進(jìn)入量產(chǎn)階段，良率要先達(dá)到一定的水準(zhǔn)，否則是不符合生產(chǎn)成本效益的。而長(zhǎng)江存儲(chǔ)用來測(cè)試的這一顆 3D NAND 芯片，絕對(duì)是精挑萬選出來的“精英部隊(duì)”，然而不代表生產(chǎn)出來的每一顆芯片都可以通過測(cè)試，因此，必須要讓良率夠高，晶圓產(chǎn)出中的“精英部隊(duì)”數(shù)量才會(huì)更多。

但根據(jù) DT 君的觀察，長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不是真的那么天真樂觀的以為自己就此一帆風(fēng)順，盡管研發(fā)速度超前目標(biāo)，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)的策略并不冒進(jìn)，而是有目標(biāo)地按部就班前進(jìn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)把這次研發(fā)成功的 32 層 3D NAND 視為打底的技術(shù)，要用該技術(shù)來證明研發(fā)的可行性，但并不打算現(xiàn)在就大量產(chǎn)出。因?yàn)?，公司很清楚知道，大量生產(chǎn)后的 3D NAND 要具備成本競(jìng)爭(zhēng)力，至少要有 64 層技術(shù)底蘊(yùn)才行。

圖丨NAND單位存儲(chǔ)空間成本下降

2018 年長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 32 層 3D NAND 技術(shù)會(huì)小量試產(chǎn)，但更重要的戰(zhàn)場(chǎng)，是要再次挑戰(zhàn) 64 層 3D NAND 技術(shù)的成功。

趙偉國(guó)出席世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)論壇上也表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年將進(jìn)入 64 層 128G 的 3D NAND 芯片，估計(jì)還要再花上 20 億美元的研發(fā)費(fèi)用。

再者，紫光早早規(guī)劃好投資規(guī)模高達(dá) 240 億美元、單月產(chǎn)能 30 萬片的武漢 12 寸存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地就可以正式開始啟動(dòng)，該時(shí)間點(diǎn)預(yù)計(jì)是 2019~2020 年。

另一個(gè)被美光的專利大刀追著跑，從***追殺一路到美國(guó)的福建晉華和聯(lián)電，其 DRAM 合作方式與其他陣營(yíng)有著不同的模式。

聯(lián)電在 2016 年接受福建晉華的委托，開發(fā) DRAM 相關(guān)的制程技術(shù)，根據(jù)技術(shù)開發(fā)的進(jìn)度，由福建晉華支付聯(lián)電技術(shù)報(bào)酬金，當(dāng)做是開發(fā)費(fèi)用，而最后研發(fā)的 DRAM 技術(shù)，將是由雙方共同擁有。

在上述的合作協(xié)議下，聯(lián)電將上百人的 DRAM 研發(fā)團(tuán)隊(duì)和試產(chǎn)線設(shè)立在***南科，同時(shí)進(jìn)行 2x 納米和 3x 納米兩個(gè)制程的研發(fā)。

另一個(gè) DRAM 陣營(yíng)是合肥睿力，從成立至今的形式作風(fēng)非常低調(diào)。該陣營(yíng)的主導(dǎo)者有前半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料 (AppliedMaterials) 全球執(zhí)行副總、前中芯國(guó)際總裁兼 CEO 王寧國(guó)，以及前華亞科高層劉大維等。

合肥睿力的布局從今年下半年開始，陸續(xù)浮上臺(tái)面。其中包括與 NOR Flash 大廠北京兆易創(chuàng)新 (GigaDevice) 的合作，兆易創(chuàng)新宣布和合肥市政府達(dá)成協(xié)議，計(jì)劃共同出資人民幣 180 億元 (兆易創(chuàng)新出資 20%、合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)出資 80%)，同時(shí)研發(fā) 19 納米 DRAM 技術(shù)，兆易創(chuàng)新也從此協(xié)議中，可獲得保障產(chǎn)能。

北京兆易創(chuàng)新雖然是從小池塘的 NOR Flash 產(chǎn)業(yè)起家，但一直有想要跨足大江大海的 DRAM 產(chǎn)業(yè)的雄心壯志，早在一年前多就傳遍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，只是公司一直沒有正面承認(rèn)。

直到今年 9 月，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)宣布入股兆易創(chuàng)新約 11% 股權(quán)，成為第二大股東，該公司在 DRAM 產(chǎn)業(yè)的布局、攜手合肥睿力的消息，才在近幾個(gè)月密集對(duì)外揭露。

這兩大 DRAM 陣營(yíng)目標(biāo)，都是在 2018 年底完成研發(fā)和試產(chǎn)，推估要真正進(jìn)入量產(chǎn)，最快也是 2019 年，因此，2019 年會(huì)是中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵年，屆時(shí)有福建晉華、合肥睿力的 DRAM 技術(shù)見真章，更有長(zhǎng)江存儲(chǔ)轉(zhuǎn)進(jìn) 64 層 3D NAND 的研發(fā)和生產(chǎn)，未來 2 年，這幾家廠商一波跟著一波的研發(fā)與量產(chǎn)進(jìn)展，將左右未來十年中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的命運(yùn)。2019 年，將會(huì)是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)非常精彩的一年。