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CW32L010安全低功耗MCU,樹立M0+產(chǎn)品行業(yè)新標(biāo)桿!

武漢芯源半導(dǎo)體有限公司 ? 2024-10-09 10:12 ? 次閱讀
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2024年9月26日,武漢芯源半導(dǎo)體CW32L010系列產(chǎn)品正式官方發(fā)布。這款產(chǎn)品以其卓越的產(chǎn)品性能,迅速在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注,并成功樹立M0+產(chǎn)品行業(yè)的新標(biāo)桿。

CW32L010系列產(chǎn)品是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器,集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器(多至 64K 字節(jié) FLASH 和多至 4K 字節(jié) SRAM)以及一系列全面的增強(qiáng)型外設(shè)和 I/O 口。

內(nèi)部框圖

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所有型號(hào)都提供全套的通信接口(二路 UART、一路 SPI 和一路 I2C)、12 位高速 ADC、四組通用和基本定時(shí)器、一組低功耗定時(shí)器以及一組高級(jí)控制 PWM 定時(shí)器。

CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的溫度范圍內(nèi)工作,供電電壓寬達(dá) 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep兩種低功耗工作模式CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的溫度范圍內(nèi)工作,供電電壓寬達(dá) 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep兩種低功耗工作模式。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1,64K超大Flash存儲(chǔ)容量

在微控制器(MCU)的眾多特性中,eFlash存儲(chǔ)容量是最主要的關(guān)鍵參數(shù)之一。CW32L010系列產(chǎn)品存儲(chǔ)容量最大 64K 字節(jié) FLASH,數(shù)據(jù)保持 25 年 @-40℃ ~ +85℃,支持擦寫保護(hù)、讀保護(hù)和安全運(yùn)行庫(kù)保護(hù)功能。

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確保高訪問(wèn)速度:可確保指令的快速執(zhí)行,滿足實(shí)時(shí)性要求高的應(yīng)用場(chǎng)景。

易于升級(jí)迭代:在同等成本下,擴(kuò)大存儲(chǔ)容量,為用戶提供同級(jí)最寬裕的程序和非易失存儲(chǔ)空間,使得產(chǎn)品在面臨功能升級(jí)或迭代時(shí),能夠更加靈活地進(jìn)行軟件更新和擴(kuò)展。

減少EEPROM依賴:通過(guò)提供充足的非易失性存儲(chǔ),減少了對(duì)外部EEPROM的依賴,降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

耐用性更高:Flash擦寫壽命高達(dá)10,000次,符合標(biāo)桿要求,確保了產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。


2、黑客級(jí)代碼安全防護(hù)

在微控制器(MCU)領(lǐng)域,保護(hù)用戶的代碼和知識(shí)產(chǎn)權(quán)至關(guān)重要。CW32L010系列MCU,以其創(chuàng)新的安全特性,為用戶提供了一個(gè)堅(jiān)不可摧的代碼保護(hù)解決方案。

盡管目前大多數(shù)MCU都支持多種安全等級(jí),阻止通過(guò)SWD/ISP接口讀取Flash內(nèi)容。但通過(guò)下載間諜程序,用挾持內(nèi)核的方式對(duì)Flash指令區(qū)做數(shù)據(jù)訪問(wèn)一般都被允許。

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CW32L010系列產(chǎn)品可以阻止這個(gè)入侵,我們?cè)试S用戶劃定一塊指令存儲(chǔ)區(qū)域,只能通過(guò)指令總線取指令執(zhí)行,不允許通過(guò)數(shù)據(jù)總線訪問(wèn)數(shù)據(jù)。在這個(gè)區(qū)域內(nèi),即使攻擊者嘗試通過(guò)下載間諜程序挾持內(nèi)核,也無(wú)法訪問(wèn)這塊被保護(hù)的存儲(chǔ)區(qū)域。用戶可以將包含敏感算法和關(guān)鍵功能的代碼庫(kù)存儲(chǔ)在該區(qū)域,確保這些核心資產(chǎn)只能被調(diào)用,無(wú)法被復(fù)制或篡改。

3、極限超低功耗0.3uA,85℃高溫漏電僅1.2uA

超低功耗工作模式非常多,一般用戶較關(guān)注待機(jī)電流(常溫/高溫)、全速運(yùn)行電流等幾個(gè)主要指標(biāo)。

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CW32L010采用特別工藝制程,將待機(jī)電流控制在0.3uA,高溫待機(jī)電流是競(jìng)品平均水平的1/4~1/8。

4、全新設(shè)計(jì)兼容G4相關(guān)IP的高級(jí)定時(shí)器

高級(jí)定時(shí)器通常用于三相PWM輸出,經(jīng)常需要與ADC緊密配合使用。我們?nèi)略O(shè)計(jì)了高級(jí)定時(shí)器,在對(duì)G4相關(guān)IP兼容的同時(shí)還增加了部分特色功能,例如PWM移相、多點(diǎn)比較等等,單個(gè)高級(jí)定時(shí)器支持多達(dá)6對(duì)互補(bǔ)PWM輸出。

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多種靈活的PWM移相模式:在保持占空比不變的同時(shí),可根據(jù)采樣時(shí)機(jī)的需求調(diào)整PWM邊沿位置。

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5、RTC補(bǔ)償精度是0.060ppm,支持亞秒級(jí)讀數(shù)

CW32L010在設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)RTC補(bǔ)償機(jī)制進(jìn)行了優(yōu)化,可選擇32,128,256秒為一個(gè)補(bǔ)償周期,最精細(xì)的補(bǔ)償精度可達(dá)到0.060ppm,支持亞秒級(jí)讀數(shù)。

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6、全面升級(jí)的低功耗串口,支持LIN、RS485硬件使能

低功耗串口接收數(shù)據(jù)可靈活配置接口電平,可產(chǎn)生關(guān)鍵字中斷和幀超時(shí)中斷,支持LIN、RS485硬件使能、TXD和RXD互換及內(nèi)部回環(huán)功能、LSB/MSB硬件轉(zhuǎn)換。

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7、85℃ Latch Up測(cè)試成績(jī)優(yōu)異,閂鎖門限測(cè)試成績(jī)高達(dá)±600mA

在MCU的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中,靜電放電(ESD)的防護(hù)能力是衡量產(chǎn)品可靠性的重要指標(biāo)之一。其中高溫Latch Up(閂鎖)測(cè)試可以說(shuō)明一定問(wèn)題,CW32L010在高溫Latch Up(閂鎖)測(cè)試中表現(xiàn)出色,閂鎖門限測(cè)試成績(jī)高達(dá)±600mA,遠(yuǎn)高于行業(yè)一般水平,相比競(jìng)品一般水平為3~6倍。強(qiáng)大的ESD防護(hù)能夠保護(hù)MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)不受靜電放電的影響以及在各種環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

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8、16路ADC輸入2M采樣率,采樣保持時(shí)間可獨(dú)立配置

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9、內(nèi)部時(shí)鐘源特性無(wú)懼挑剔

在當(dāng)前的電子市場(chǎng),"低成本內(nèi)卷"已成為一個(gè)不可忽視的現(xiàn)象。在這一背景下,外置晶體的成本優(yōu)化變得尤為重要,這一指標(biāo)考驗(yàn)的是MCU內(nèi)置RC時(shí)鐘源的技術(shù)特性。CW32L010的內(nèi)置時(shí)鐘源,不論是HSI還是LSI,都大幅優(yōu)于競(jìng)品。

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CW32L010系列產(chǎn)品基于華虹半導(dǎo)體最新的90nm超低漏電嵌入式閃存工藝,極其出色的性能和更合理的價(jià)格定位,為用戶帶來(lái)了極具競(jìng)爭(zhēng)力的選擇,實(shí)現(xiàn)了高性能與低成本的完美結(jié)合。

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CW32L010系列產(chǎn)品提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三種不同的封裝形式,不同封裝的產(chǎn)品所能實(shí)現(xiàn)的功能有所不同,具體情況如下表所示:

?CW32L010 家族產(chǎn)品功能列表

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CW32L010系列產(chǎn)品的發(fā)布,是武漢芯源半導(dǎo)體對(duì)市場(chǎng)需求的積極響應(yīng),也是公司持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)研發(fā)實(shí)力的展現(xiàn)。隨著這款產(chǎn)品的正式上市,預(yù)計(jì)將推動(dòng)公司業(yè)務(wù)的增長(zhǎng),并為合作伙伴和客戶帶來(lái)更多價(jià)值。讓我們共同期待CW32L010系列產(chǎn)品在未來(lái)的精彩表現(xiàn)!同時(shí),我們也期待與您攜手合作,共創(chuàng)更加美好的未來(lái)!

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