據(jù)市場研究公司TrendForce預(yù)測，2024年第四季度DRAM市場將呈現(xiàn)出一絲暖意，但僅限于高帶寬存儲器（HBM）領(lǐng)域。預(yù)計(jì)HBM價(jià)格將實(shí)現(xiàn)環(huán)比上漲，而通用DRAM的價(jià)格則將停滯不前。

這一預(yù)測反映了DRAM市場的復(fù)雜現(xiàn)狀。由于通用DRAM產(chǎn)品的需求低迷，以及廠商進(jìn)入HBM市場的延遲，三星電子等半導(dǎo)體巨頭在第三季度的盈利受到了顯著沖擊。為了擺脫這一困境，許多專家指出，三星電子必須加強(qiáng)與人工智能（AI）芯片巨頭英偉達(dá)的合作，向其供應(yīng)HBM產(chǎn)品。

TrendForce的預(yù)測顯示，今年第四季度通用DRAM的價(jià)格預(yù)計(jì)將維持在當(dāng)前水平或略有上漲，漲幅在0%~5%之間。然而，隨著HBM在DRAM市場中所占份額的逐漸上升，包括HBM在內(nèi)的所有DRAM產(chǎn)品的平均價(jià)格預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)更大幅度的上漲，漲幅在8%~13%之間。

這一預(yù)測為DRAM市場帶來了一絲希望。盡管通用DRAM市場仍然面臨挑戰(zhàn)，但HBM等新興領(lǐng)域的崛起為市場帶來了新的增長點(diǎn)。對于三星電子等半導(dǎo)體廠商而言，抓住這一機(jī)遇，加強(qiáng)與HBM相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)，將是實(shí)現(xiàn)市場復(fù)蘇的關(guān)鍵。未來，隨著HBM技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，DRAM市場有望迎來更加廣闊的發(fā)展前景。