森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起了廣泛關注。
該IGBT采用了先進的制造工藝和材料技術,確保了器件在應用中的高可靠性。其低傳導損耗特性有助于減少能量浪費,提高整體能效。同時,高速開關性能使得設備響應更加迅速,進一步提升了系統(tǒng)的動態(tài)性能。
值得一提的是,這款IGBT還具有出色的魯棒性,能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。這一特性有助于提升應用設備在惡劣條件下的穩(wěn)定性和可靠性,從而延長設備的使用壽命,減少維護成本。
森國科的這款IGBT新品無疑為電力電子應用提供了更加高效、可靠的解決方案,推動了相關領域的持續(xù)發(fā)展。
-
IGBT
+關注
關注
1278文章
4071瀏覽量
254655 -
高速開關
+關注
關注
1文章
19瀏覽量
9250 -
森國科
+關注
關注
0文章
38瀏覽量
448
發(fā)布評論請先 登錄
新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

微源半導體推出650V半橋柵極驅(qū)動芯片LPD2106

超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹
NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動芯片介紹

芯達茂國產(chǎn)IGBT模塊,國產(chǎn)IBGT單管 全系列型號
BCA60A,BCB 60A(TO-3P)單向可控硅手冊
長晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹

新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F

評論