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【AI技術(shù)支持】ESP32模組PSRAM的CS引腳上拉導(dǎo)致功耗上升處理

啟明云端 ? 2024-10-31 08:01 ? 次閱讀
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啟明云端/02

這是咋回事呢?

通過(guò)驗(yàn)證,之前使用不帶psram的模組,深度睡眠的功耗測(cè)試為10uA;在10K上拉后IO16引腳端電壓是1.67v, 計(jì)算 (3.3v-1.67)/10K=140ua,與目前的實(shí)際測(cè)試功耗值正好對(duì)應(yīng)。根據(jù)以上信息確定是IO16上拉電阻10K電阻導(dǎo)致深度睡眠模式下的功耗增加。

3ba5efae-971b-11ef-8084-92fbcf53809c.jpg

啟明云端/03

解決方案

SO easy!

解決方案1:硬件方案、由于該上拉電阻的作用是PSRAM 運(yùn)行穩(wěn)定性,無(wú)法直接去除,但是可以適當(dāng)加大這個(gè)電阻的阻值來(lái)降低功耗;

解決方案2:軟件方案、在項(xiàng)目的menuconfig配置中啟用CONFIG_ESP_SLEEP_PSRAM_LEAKAGE_WORKAROUND配置項(xiàng),此選項(xiàng)將設(shè)置 PSRAM 的 CS 管腳在睡眠期間為 PULL-UP 狀態(tài),從而避免psram的cs 引腳在浮空狀態(tài)被識(shí)別為低電平時(shí)產(chǎn)生大的電流泄漏和保護(hù)PSRAM 中的數(shù)據(jù)不被被其他 SPI 引腳上的隨機(jī)信號(hào)破壞。

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