快速發(fā)展與創(chuàng)新實力

在2024全國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會上,江西薩瑞微電子科技有限公司榮獲"2024全國第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"稱號。這一榮譽不僅是對公司技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化成果的肯定,更彰顯了薩瑞微在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

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大會現(xiàn)場

大會匯聚了來自全國各地的半導(dǎo)體行業(yè)專家、學(xué)者和企業(yè)代表,共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢和技術(shù)創(chuàng)新。作為行業(yè)新銳力量,薩瑞微總監(jiān)應(yīng)邀出席并作了題為《碳化硅MOSFET開發(fā)及展望》的主題演講,分享了公司在碳化硅功率器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面的經(jīng)驗與成果。

江西薩瑞微電子總監(jiān)在大會上介紹了碳化硅MOSFET開發(fā)及展望。

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關(guān)于碳化硅MOSFET

演講中,薩瑞微總監(jiān)深入淺出地介紹了碳化硅MOSFET的技術(shù)特點、應(yīng)用優(yōu)勢以及未來發(fā)展方向。他指出,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料,在高溫、高頻、高壓等極端環(huán)境下具有優(yōu)異的性能,在新能源汽車、光伏逆變器、5G基站等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。薩瑞微憑借自主研發(fā)的碳化硅MOSFET制造工藝,已實現(xiàn)多款產(chǎn)品的量產(chǎn),并在多個應(yīng)用領(lǐng)域取得突破。

碳化硅MOSFET的顯著優(yōu)勢還在于能夠大幅降低能量損耗和功率密度，其體積比同等規(guī)格的硅基MOSFET更小，功率模塊因此更為小型化和輕量化。

碳化硅材料特性

薩瑞微SIC Device概述及特點：

薩瑞微提供650V-1200V SIC SBD和Planar SIC MOSFET 。

碳化硅材料寬禁帶特性使SIC MOSFET可以承受極端高溫工作環(huán)境，高熱導(dǎo)率特性減少功率器件散熱裝置體積和數(shù)量，高擊穿場強使SIC MOSFET在保證耐壓條件下有更小導(dǎo)通電阻，高飽和速度使SIC MOSFET具有更高開關(guān)頻率和更優(yōu)異的反向恢復(fù)特性。

主要應(yīng)用：

應(yīng)用于光伏逆變器、新能源汽車、儲能、充電樁等。

伴隨全球向電動化、低碳化轉(zhuǎn)型需求增加，SiC MOSFET的應(yīng)用前景將進(jìn)一步擴(kuò)大，尤其在新能源和高功率需求場景下，碳化硅技術(shù)將帶動產(chǎn)業(yè)鏈上游從單晶襯底、外延片到功率器件等環(huán)節(jié)的整體發(fā)展。

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攜手共進(jìn),共創(chuàng)美好未來

未來,薩瑞微將繼續(xù)加大研發(fā)投入,推動碳化硅功率器件的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。同時,公司將積極與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)合作,共同推動碳化硅器件在各個領(lǐng)域的應(yīng)用,助力中國新能源和電力電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

此次榮獲"最佳新銳企業(yè)"稱號,是對薩瑞微過去努力的肯定,更是對未來發(fā)展的鞭策。我們將以此為新的起點,不斷創(chuàng)新,為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù),為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大貢獻(xiàn)!

最后,再次感謝組委會的認(rèn)可和支持,感謝所有合作伙伴和客戶的信任。讓我們攜手共進(jìn),共創(chuàng)第三代半導(dǎo)體的美好未來!