三星電子或向英偉達供應(yīng)先進HBM
近日，韓國三星電子公司透露了一個引人矚目的消息，有可能在不久的將來向美國的人工智能巨頭英偉達提供其先進的高帶寬存儲器(HBM)。這一消息無疑為科技界帶來了新的期待。
值得一提的是，三星電子在HBM領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。
然而，對于三星電子來說，向英偉達供應(yīng)HBM不僅是一個重要的商業(yè)機會，更是展示其技術(shù)實力和市場影響力的重要契機。通過與英偉達的合作，三星電子有望進一步鞏固其在HBM市場的領(lǐng)先地位，并為未來的發(fā)展奠定堅實的基礎(chǔ)。
綜上所述，三星電子或向英偉達供應(yīng)先進HBM的消息無疑為科技界帶來了新的期待。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182007 -
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1804文章
48449瀏覽量
245069 -
英偉達
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
3900瀏覽量
92917 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
401瀏覽量
15051
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達，國內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應(yīng)
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達
英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片
芯片。作為當前市場上最先進的內(nèi)存技術(shù)之一，HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達正在對
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對英偉達供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品測試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向
三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并預(yù)計很快將啟動量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存
英偉達否認三星HBM未通過測試
英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在
三星HBM研發(fā)受挫，英偉達測試未達預(yù)期，如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場需求？
據(jù)DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭，但在
三星電子否認HBM產(chǎn)品未達標，多家合作公司保證質(zhì)量
針對媒體報道三星電子高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未達英偉達品質(zhì)標準的傳聞，三星予以明確否認。該報道列
三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題影響測試，與英偉達合作暫時擱淺
這是三星首次公開承認未能通過英偉達測試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲產(chǎn)品，需“依據(jù)客戶需求進行優(yōu)化”，并強調(diào)正與客戶緊密合作以
三星HBM芯片遇阻英偉達測試
近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標，影響到了其
傳三星HBM3E尚無法通過英偉達認證
三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，
工商網(wǎng)監(jiān)
評論