一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌推出新款CoolGaN?晶體管,促進(jìn)高壓器件市場(chǎng)發(fā)展

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-11-05 11:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

英飛凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高壓分立器件系列——CoolGaN?晶體管650 V G5,進(jìn)一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。這一新產(chǎn)品系列的推出,不僅為消費(fèi)和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)提供了新的技術(shù)選擇,也為諸如USB-C適配器、充電器、照明系統(tǒng)、電視、數(shù)據(jù)中心和電信整流器,以及可再生能源和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)等廣泛應(yīng)用提供了支持。

CoolGaN 650 V G5晶體管旨在直接替代CoolGaN晶體管600 V G1,旨在促進(jìn)現(xiàn)有平臺(tái)的迅速重新設(shè)計(jì)。這一新一代產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上進(jìn)行了優(yōu)化,確保其在關(guān)鍵應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)性能具有競(jìng)爭(zhēng)力。相較于之前的產(chǎn)品系列,CoolGaN 650 V G5在多個(gè)性能指標(biāo)上都顯著提升,例如輸出電容中存儲(chǔ)的能量(Eoss)減少了50%,漏源電荷(Qoss)減少了60%,而柵極電荷(Qg)同樣減少了60%。這些顯著的改進(jìn)使得其在軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的效率,功率損耗相比傳統(tǒng)硅技術(shù)大幅降低,降低范圍在20%至60%之間,這一幅度取決于具體應(yīng)用場(chǎng)景。

wKgZoWcpjkGASCxQAADQlNBBVxs357.png

除了效率的提升,CoolGaN 650 V G5的高頻運(yùn)行能力也得到了增強(qiáng),使得器件在保持極低功率損耗的同時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)秀的功率密度。這一特性使得SMPS應(yīng)用在體積上更小、更輕,或者在特定外形尺寸內(nèi)能夠擴(kuò)展輸出功率范圍,從而為工程師在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)提供更多靈活性。

新推出的高壓晶體管系列還提供了多種RDS(on)封裝組合選擇,以滿足不同應(yīng)用需求。ThinPAK 5×6、DFN 8×8、TOLL和TOLT等封裝類型均屬于提供多達(dá)十種RDS(on)類別的SMD封裝。這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫和馬來(lái)西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線上制造,而英飛凌未來(lái)還計(jì)劃將CoolGaN產(chǎn)品線轉(zhuǎn)向12英寸生產(chǎn),這將進(jìn)一步增強(qiáng)其CoolGaN的產(chǎn)能,確保氮化鎵功率市場(chǎng)的穩(wěn)定供應(yīng)鏈。

根據(jù)Yole Group的預(yù)測(cè),GaN功率市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2029年將達(dá)到20億美元,英飛凌憑借CoolGaN 650 V G5的推出,正積極布局這一快速發(fā)展的市場(chǎng)。公司希望通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)化,為客戶提供更高效、更可靠的解決方案,以滿足未來(lái)市場(chǎng)的需求。

浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域,為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(jī)MCU)、觸摸芯片,是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2346

    瀏覽量

    140632
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    10020

    瀏覽量

    141722
  • 高壓器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    9

    瀏覽量

    5535
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

    新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效,符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),助力打造兼具超
    的頭像 發(fā)表于 06-26 17:07 ?1193次閱讀
    TOLL和DFN封裝<b class='flag-5'>CoolGaN</b>? 650V G5第五代氮化鎵功率<b class='flag-5'>晶體管</b>

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm,1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后,晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環(huán)柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過(guò),產(chǎn)
    發(fā)表于 06-20 10:40

    英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

    英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管
    的頭像 發(fā)表于 05-21 10:00 ?386次閱讀

    全球首款!英飛凌推出集成SBD的GaN FET產(chǎn)品

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD(肖特基二極)的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5,該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不
    的頭像 發(fā)表于 04-28 00:19 ?2365次閱讀
    全球首款!<b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>集成SBD的GaN FET產(chǎn)品

    英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管, 推動(dòng)全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程

    CoolGaN? G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V(IGE033S08S1)高性能GaN晶體管。 ?
    發(fā)表于 03-03 15:50 ?2066次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>采用新型硅封裝的 <b class='flag-5'>CoolGaN</b>? G3<b class='flag-5'>晶體管</b>, 推動(dòng)全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程

    搶先領(lǐng)取!高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦

    高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗(yàn)證的白皮書共33頁(yè),被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和
    的頭像 發(fā)表于 12-18 17:20 ?514次閱讀
    搶先領(lǐng)??!<b class='flag-5'>高壓</b><b class='flag-5'>CoolGaN</b>? GIT HEMT可靠性白皮書推薦

    #參考設(shè)計(jì)#緊湊型逆變器,適用于采用 CoolGaN? 晶體管 100 V G3 的低壓電池應(yīng)用

    這款適用于低壓電池應(yīng)用的緊湊型逆變器參考設(shè)計(jì)包括 12 個(gè) CoolGaN? 晶體管 100 V G3 (IGC033S10S1),采用半橋配置,所有相位有兩個(gè)并聯(lián)器件。晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-28 10:04 ?1264次閱讀
    #參考設(shè)計(jì)#緊湊型逆變器,適用于采用 <b class='flag-5'>CoolGaN</b>? <b class='flag-5'>晶體管</b> 100 V G3 的低壓電池應(yīng)用

    英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

    英飛凌近日宣布推出新高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管,該系列進(jìn)一步豐富了
    的頭像 發(fā)表于 11-28 01:00 ?539次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立<b class='flag-5'>器件</b>

    英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

    【 2024 年 11 月 20 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新高壓分立器件系列
    發(fā)表于 11-20 18:27 ?821次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立<b class='flag-5'>器件</b>

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?7825次閱讀

    CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么

    CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來(lái)說(shuō),它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、定義與范疇 CoolGaN
    的頭像 發(fā)表于 09-07 09:28 ?1284次閱讀

    淺析高壓晶體管光耦

    晶體管光耦是一款由發(fā)光二極和光電晶體管組成的光電耦合器,通過(guò)光電效應(yīng)和晶體管放大特性,實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的光學(xué)隔離與傳輸、確保信號(hào)穩(wěn)定可靠。
    的頭像 發(fā)表于 08-27 09:23 ?699次閱讀
    淺析<b class='flag-5'>高壓</b><b class='flag-5'>晶體管</b>光耦

    GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

    GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而,它們?cè)诓牧咸匦?、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及制造
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:16 ?1771次閱讀

    英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列, 包括帶有集成驅(qū)動(dòng)器的集成單開(kāi)關(guān)和半橋

    (GaN)產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品系列包括CoolGaN? Drive 650 V G5 單開(kāi)關(guān)(集成了一個(gè)晶體管和柵
    發(fā)表于 08-14 15:22 ?751次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>CoolGaN</b>? Drive產(chǎn)品系列, 包括帶有集成驅(qū)動(dòng)器的集成單開(kāi)關(guān)和半橋

    晶體管,場(chǎng)效應(yīng)是什么控制器件

    晶體管和場(chǎng)效應(yīng)是兩種非常重要的電子控制器件,它們?cè)诂F(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 一、晶體管 晶體管的工作原理
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:14 ?1152次閱讀