(電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹）10月22日，由EEVIA舉辦的第12屆中國硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢峰會在深圳灣萬怡酒店隆重召開。構(gòu)筑新質(zhì)生產(chǎn)力，硬科技將是不可或缺的重要引擎。此次峰會匯聚了眾多行業(yè)精英、專家學者以及百家媒體代表，共同探討硬科技產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新趨勢與未來發(fā)展方向。

在當天的論壇中，來自艾邁斯歐司朗、Qorvo、富士通半導體、飛凌微、安謀科技及清純半導體等一批極富創(chuàng)新精神和技術(shù)實力企業(yè)高管分享他們對汽車LED芯片、5G創(chuàng)新、存儲技術(shù)、端側(cè)AI芯片、視頻IP和SIC領(lǐng)域最新技術(shù)的前瞻。

艾邁斯歐司朗：以光和智引領(lǐng)汽車照明創(chuàng)新

艾邁斯歐司朗成立于2019年，是一家全球領(lǐng)先的光學解決方案供應商，專注于傳感、光源和可視化領(lǐng)域。在此次論壇上，艾邁斯歐司朗獨攬“產(chǎn)業(yè)生態(tài)縱橫獎”、“To B數(shù)字營銷先鋒獎”以及“'E'馬當先新品獎”三項大獎，獲得業(yè)界矚目。

艾邁斯高級市場經(jīng)理羅理帶來了《LED，智能駕駛中的光與智》的精彩演講。隨著汽車 LED 的廣泛應用以及數(shù)字化、智能化和節(jié)能減排等大趨勢的演變，汽車行業(yè)經(jīng)歷重大變革，汽車照明和燈具也隨之發(fā)生變化。艾邁斯歐司朗一直是汽車光源技術(shù)創(chuàng)新的領(lǐng)航者，希望通過創(chuàng)新帶來整個汽車燈具的創(chuàng)新發(fā)展。

羅理表示：“在做產(chǎn)品創(chuàng)新時，重點關(guān)注解放設(shè)計師思維、增加工程師架構(gòu)設(shè)計可塑性、為消費市場帶來更多選擇和情感交互媒介?！?他現(xiàn)場解說了艾邁斯歐司朗三大革命性創(chuàng)新產(chǎn)品，即EVIYOS 2.0前照燈解決方案、OSIRE E3731i氛圍照明模塊，以及SYNIOS P1515尾燈/信號燈解決方案。

以EVIYOS 2.0為例，這是業(yè)界第一款光與電子相結(jié)合的智能前燈像素化LED，能夠?qū)崿F(xiàn)車頭燈的完全自適應動態(tài)控制以及圖像投影。在最大限度地提升駕駛員在遠光燈模式下視野的同時，避免給其他道路使用者造成眩光。

Qorvo：5G 創(chuàng)新驅(qū)動企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型

在本次大會上，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商Qorvo也帶來了5G領(lǐng)域創(chuàng)新的最新成果分享。Qorvo中國高級銷售總監(jiān)江雄帶來《5G創(chuàng)新》的演講，重點分享在5G射頻、UWB和Wi-Fi7領(lǐng)域的最新進展。

圖：Qorvo中國高級銷售總監(jiān)江雄

江雄指出，作為全球5G手機射頻領(lǐng)域的大廠，Qorvo的射頻集成方案已經(jīng)從Phase 2開始到現(xiàn)在已經(jīng)進化到Phase 8了，新一代的集成方案在面積和電流功率上明顯提升，節(jié)省射頻前端尺寸50%以上，受到手機廠商的歡迎。在Wi-Fi7領(lǐng)域，Qorvo已經(jīng)可以提供完整的射頻前端解決方案，包括射頻前端，5GHz和6GHz頻段的體聲波濾波器。

UWB技術(shù)以其高精度、高安全性和低功耗的特點，在多個領(lǐng)域得到了廣泛應用。在室內(nèi)導航方面，UWB技術(shù)已經(jīng)實現(xiàn)了精準定位，為商場、醫(yī)院等大型場所提供了便捷的導航服務(wù)。在汽車鑰匙方面，UWB技術(shù)以其高安全性，成為了汽車廠商的首選。Qorvo推出新一代車載UWB方案更是將UWB技術(shù)的應用推向了一個新的高度。通過車載UWB雷達，可以實現(xiàn)活體檢測、腳踢等安全及便捷應用。

富士通半導體：新一代FeRAM創(chuàng)新賦能智慧醫(yī)療、5G通信和光伏

RAMXEED（前富士通半導體）主要聚焦于高性能存儲器 FeRAM 和 ReRAM 及相關(guān)定制產(chǎn)品，并不斷創(chuàng)新和升級，在相關(guān)領(lǐng)域取得了豐碩的成果。在此次大會上，RAMXEED獲得中國應用創(chuàng)新貢獻獎”和“‘E’馬當先新品獎”兩座獎杯。

圖：RAMXEED總經(jīng)理馮逸新

RAMXEED總經(jīng)理馮逸新坦言，1996年首先推入市場的FeRAM是Ramtron公司，當時富士通給Ramtron做wafer process代工服務(wù)。在后面，富士通推出了自有的FeRAM，近20年公司向市場交出44億片F(xiàn)eRAM產(chǎn)品。

FeRAM比較NOR Flash的三大優(yōu)勢是高耐久性、低功耗和快速寫入特性，完美契合了市場對實時數(shù)據(jù)存儲和高頻寫入的需求。馮逸新強調(diào)，從智能電表到新能源汽車的管理系統(tǒng)，從醫(yī)療設(shè)備到工業(yè)自動化設(shè)備，F(xiàn)eRAM以其無電池特性和超高可靠性，在各個行業(yè)中不斷突破，滿足了市場對低功耗、高效存儲的迫切需求。

“未來智能算中心主干網(wǎng)絡(luò)需要高速光模塊，5G的確是需要高速的，傳統(tǒng)的EEPRAM是滿足不了的，需要可以多次寫入的而且封裝更小的Memory。我們給客戶推1Mbit產(chǎn)品的時候，客戶肯定要產(chǎn)品路線規(guī)劃圖，未來FeRAM產(chǎn)品序列中2Mbit、4Mbit、8Mbit是怎么樣的，必須提前布局。我覺得大容量的FeRAM，光模塊有這個需求?！?馮逸新對電子發(fā)燒友記者表示。

飛凌微：車載視覺處理新品助力智駕視覺系統(tǒng)升級

飛凌微首席執(zhí)行官、思特威副總裁邵科為論壇分享的主題是《新一代端側(cè) SoC 與感知融合方案，助力車載智能視覺升級》，展示了飛凌微在車載智能視覺升級方面的創(chuàng)新方案和技術(shù)實力。

圖：飛凌微首席執(zhí)行官、思特威副總裁邵科

“端側(cè)AI有三種發(fā)展路徑：一類是端側(cè)采集數(shù)據(jù)，在云端處理，實效性不太高；二是在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，同時在本地中央計算來處理AI數(shù)據(jù)；三是挑戰(zhàn)較大的，在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，同時在端側(cè)處理。我們認為，端側(cè)AI落地中有四大潛力應用場景，包括智能車載、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)和機器視覺等。” 飛凌微首席執(zhí)行官兼思特威副總裁邵科表示。

邵科認為，汽車應用的新趨勢給圖像傳感器廠商帶來兩大挑戰(zhàn)：一、圖像性能要求日益提高；二是處理性能要求提高，端側(cè)有很大空間去做高性能的圖像處理或者做視覺的預處理，幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更好的落地。為此，基于市場的迫切需求和應用方案的考慮，飛凌微推出M1、M1Pro和M1Max三款產(chǎn)品。M1是一款用于車載上面的高性能ISP，而M1Pro和M1Max兩款產(chǎn)品用于車載的端側(cè)視覺感知預處理的輕量級SoC。

這些產(chǎn)品采用業(yè)內(nèi)最小的 BGA 7mm*7mm 封裝。M1 高性能 ISP 能接 800 萬像素或兩顆 300 萬像素圖像數(shù)據(jù)，具有高動態(tài)范圍和優(yōu)秀暗光性能，結(jié)合 AI 提升暗光效果。M1Pro 和 M1Max 在高性能 ISP 基礎(chǔ)上加入了輕量級算力，可實現(xiàn)人臉識別、姿態(tài)識別等功能，M1Max 算力是 M1Pro 的兩倍。

清純半導體：抓住新能源汽車和儲能發(fā)展機遇，深耕SIC MOSFET應用

SiC在新能源汽車市場進展迅速。據(jù)統(tǒng)計，2023年公開的國產(chǎn)SiC車型合計142款，乘用車76款，僅僅在2023年新增的款式大概是有45款。因此，相當于整個新能源汽車采用SiC的市場是完全被打開了。目前，主驅(qū)應用的主流器件還是以1200V SiC MOSFET為主。當然，400V的平臺目前也是采用750V的SiC在做一些替代。

圖：清純半導體(寧波)有限公司市場經(jīng)理 詹旭標

清純半導體(寧波)有限公司市場經(jīng)理詹旭標表示，碳化硅給新能源汽車帶來兩大好處：一是提升新能源汽車的續(xù)航里程。首先，得益于SiC MOSFETS的低導通電阻、低開關(guān)損耗。對比以前硅的IGBT方案，整個電機的控制器系統(tǒng)有望能降低70%的損耗，從而能增加5%的行駛里程。二、解決補能焦慮的問題。國家正在大力推進充電樁建設(shè)，按照目前整個設(shè)計，充電模塊已經(jīng)開始用SiC，并且在DC-DC包括PFC應用，用的數(shù)量至少是8個以上，所以整體的市場規(guī)模是非常巨大的。

目前來看，國際SiC MOSFET技術(shù)持續(xù)發(fā)展，基本維持3-5年的迭代周期，而中國SiC MOSFET最新技術(shù)已經(jīng)對標國際主流水平，并保持1年1代的節(jié)奏快速迭代。詹旭標對比了意法半導體、羅姆與清純半導體的技術(shù)迭代情況，他介紹說，清純半導體第一代產(chǎn)品比導通電阻是在3.3 mΩ左右，2023年發(fā)布的第二代產(chǎn)品是在2.8 mΩ，而意法半導體2022年SiC MOSFET Rsp達到2.8mΩ，跟我們目前第二代的技術(shù)水平是持平的。今年我們會發(fā)布第三代產(chǎn)品，整個Rsp可以做到2.4mΩ，跟國際巨頭的產(chǎn)品可以做到完全持平。

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