近期，華大半導(dǎo)體旗下上海貝嶺股份有限公司榮獲2024第六屆金輯獎(jiǎng)“最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用獎(jiǎng)”。

產(chǎn)品解析

1BLQG3040A/BLG3040

BLQG3040A/BLG3040系列——一款專(zhuān)門(mén)為汽車(chē)點(diǎn)火器設(shè)計(jì)的自鉗位絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)器件，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)?？蛇m用于各種汽車(chē)點(diǎn)火應(yīng)用。

應(yīng)用功能參數(shù)：

●高雪崩能力(ESCIS=300mJ@TJ=25 °C，ISCIS=14.2A)

● 低溫度系數(shù)，滿(mǎn)足寬溫范圍應(yīng)用

● 低通態(tài)損耗

● 低導(dǎo)通閾值(簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì))

● 400V/430V鉗位電壓，匹配點(diǎn)火應(yīng)用

2MEDS92630

MEDS92630 是一個(gè)一通道線性LED驅(qū)動(dòng)器，具有模擬和PWM調(diào)光控制。該器件的全面故障檢測(cè)和內(nèi)置保護(hù)使其成為可達(dá)到中等功率范圍的可變強(qiáng)度LED照明應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用功能參數(shù)：

● 3通道LED驅(qū)動(dòng)器(模擬和PWM調(diào)光)

● 寬輸入電壓范圍:5V-40V

● 可調(diào)恒定輸出電流

● 最大電流:150mA每通道

● 最大電流:450mA并聯(lián)工作模式

● 精度:在I(IOUTX)>30mA時(shí)，每通道± 2%

● 精度: ± 2.5%每個(gè)器件在I(IOUTX)>30mA

● 使用多個(gè)IC或單個(gè)IC的多個(gè)通道并行，以實(shí)現(xiàn)更高的電流低電壓降

3BLQGMS820T75FEDL7（HPD模塊）

BLQGMS820T75FEDL7（HPD模塊）采用貝嶺第7代溝槽柵場(chǎng)阻止層結(jié)構(gòu)；具有極低的Vcesat，正溫系數(shù)，優(yōu)化的柵電荷和米勒電容；具有強(qiáng)的抗EMI能力和短路能力。

應(yīng)用：

●適用于電動(dòng)汽車(chē)和混動(dòng)汽車(chē)的逆變主驅(qū)，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用

4BLQ3N120

BLQ3N120是1200V特高壓硅基N溝道增強(qiáng)型平面MOSFET，采用先進(jìn)的MOSFET技術(shù)，降低了導(dǎo)通損耗，提高了開(kāi)關(guān)性能，增強(qiáng)了雪崩能量，并通過(guò)了AEC-Q101汽車(chē)級(jí)可靠性測(cè)試。

適用：

●動(dòng)力電池BMS高壓檢測(cè)，電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)輔助電源，SMPS、高速開(kāi)關(guān)和各種通用場(chǎng)景應(yīng)用

5BLQ3N100E

BLQ3N100E是1000V特高壓硅基N溝道增強(qiáng)型平面MOSFET，采用先進(jìn)的MOSFET技術(shù)，帶ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，降低了導(dǎo)通損耗，提高了開(kāi)關(guān)性能，增強(qiáng)了雪崩能量，并通過(guò)了AEC-Q101汽車(chē)級(jí)可靠性測(cè)試。

適用：

●動(dòng)力電池BMS高壓檢測(cè)，電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)輔助電源，SMPS、高速開(kāi)關(guān)和各種通用場(chǎng)景應(yīng)用

6BL0942

BL0942電能計(jì)量芯片采樣貝嶺最新的免校準(zhǔn)技術(shù)，具有高精度，外圍簡(jiǎn)單，高可靠性等特點(diǎn)。

應(yīng)用：

●充電樁、智能插座、智能家電等應(yīng)用