一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

去除晶圓表面顆粒的原因及方法

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-11-11 09:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文簡(jiǎn)單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。

在12寸(300毫米)晶圓廠中,清洗是一個(gè)至關(guān)重要的工序。晶圓廠會(huì)購買大量的高純度濕化學(xué)品如硫酸,鹽酸,雙氧水,氨水,氫氟酸等用于清洗。

為什么在工序中不斷清洗以去除顆粒?

顆粒會(huì)引起芯片的短路或開路,半導(dǎo)體制造是一個(gè)多步驟的過程,每一步工序都會(huì)產(chǎn)生大量的顆粒,需要將晶圓表面的顆??刂圃跇O低范圍內(nèi)才能繼續(xù)下一工序。

用什么藥液?

業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)藥液:SC-1(StandardClean-1),又名APM,又名RCA-1。是由沃納·科恩 (Werner Kern) 于1965 年在美國無線電公司(RCA) 工作時(shí)開發(fā)了這一配方,一直沿用至今。

配比為:氨水:雙氧水:超純水=1:1:6,可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整配比。在 75℃左右,超聲浸泡 10 分鐘。這種堿-過氧化物混合藥液可去除部分的有機(jī)物和幾乎全部的顆粒。

SC-1去除顆粒的原理

由于氨水能夠解離出氫氧根離子,氫氧根離子可以使晶圓表面帶負(fù)電,且可以改變顆粒的zeta 電位并使顆粒與晶圓相互排斥,而達(dá)到去除顆粒以及防止顆粒再次沉積的目的。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    460

    文章

    52520

    瀏覽量

    440941
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28918

    瀏覽量

    237942
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5165

    瀏覽量

    129795

原文標(biāo)題:12寸晶圓是如何清洗去除表面顆粒的?

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    蝕刻擴(kuò)散工藝流程

    蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹:一、蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移:將光刻膠圖案轉(zhuǎn)
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?126次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>蝕刻擴(kuò)散工藝流程

    蝕刻后的清洗方法有哪些

    蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等),同時(shí)避免對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 07-15 14:59 ?99次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>蝕刻后的清洗<b class='flag-5'>方法</b>有哪些

    清洗設(shè)備概述

    圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會(huì)對(duì)后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與
    的頭像 發(fā)表于 06-13 09:57 ?294次閱讀

    表面缺陷類型和測(cè)量方法

    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,堪稱核心基石,其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。
    的頭像 發(fā)表于 05-29 16:00 ?883次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>表面</b>缺陷類型和測(cè)量<b class='flag-5'>方法</b>

    表面清洗靜電力產(chǎn)生原因

    表面清洗過程中產(chǎn)生靜電力的原因主要與材料特性、工藝環(huán)境和設(shè)備操作等因素相關(guān),以下是系統(tǒng)性分析: 1. 靜電力產(chǎn)生的核心機(jī)制 摩擦起電(Triboelectric Effect) 接
    的頭像 發(fā)表于 05-28 13:38 ?207次閱讀

    提高鍵合 TTV 質(zhì)量的方法

    )增大,影響器件性能與良品率。因此,探索提高鍵合 TTV 質(zhì)量的方法,對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。 二、提高鍵合 TTV 質(zhì)量
    的頭像 發(fā)表于 05-26 09:24 ?266次閱讀
    提高鍵合<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 質(zhì)量的<b class='flag-5'>方法</b>

    擴(kuò)散清洗方法

    擴(kuò)散前的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除表面污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等),確保擴(kuò)散工藝的均勻性和器件性能。以下是
    的頭像 發(fā)表于 04-22 09:01 ?380次閱讀

    高溫清洗蝕刻工藝介紹

    表面的雜質(zhì)。物理作用方面,在高溫環(huán)境下,附著在表面的污垢、
    的頭像 發(fā)表于 04-15 10:01 ?378次閱讀

    浸泡式清洗方法

    浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過程中的一種重要清洗技術(shù),它旨在通過將浸泡在特定的化學(xué)溶液中,去除
    的頭像 發(fā)表于 04-14 15:18 ?322次閱讀

    8寸的清洗工藝有哪些

    8寸的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8寸的清洗工藝介紹吧! 顆粒
    的頭像 發(fā)表于 01-07 16:12 ?423次閱讀

    的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    ,指在其直徑范圍內(nèi)的最大和最小厚度之間的差異。 測(cè)量方法在未緊貼狀態(tài)下,測(cè)量
    的頭像 發(fā)表于 12-17 10:01 ?1972次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    控制12寸再生雙面拋光平坦度的方法有哪些?

    引起的變形問題。 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù): CMP技術(shù)結(jié)合了化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的雙重作用,可以在表面形成一層化學(xué)反應(yīng)層,并通過機(jī)械研磨去除這層反應(yīng)層,從而實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-10 09:55 ?492次閱讀
    控制12寸再生<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>雙面拋光平坦度的<b class='flag-5'>方法</b>有哪些?

    大尺寸藍(lán)寶石平坦化的方法有哪些

    大尺寸藍(lán)寶石平坦化的方法主要包括以下幾種: 一、傳統(tǒng)研磨與拋光方法 粗研磨 使用研磨墊配合綠碳化硅溶液對(duì)藍(lán)寶石
    的頭像 發(fā)表于 12-06 10:36 ?486次閱讀
    大尺寸藍(lán)寶石<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>平坦化的<b class='flag-5'>方法</b>有哪些

    有什么方法可以去除鍵合邊緣缺陷?

    去除鍵合邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種: 一、化學(xué)氣相淀積與平坦化工藝 方法概述: 提供待鍵合的
    的頭像 發(fā)表于 12-04 11:30 ?584次閱讀
    有什么<b class='flag-5'>方法</b>可以<b class='flag-5'>去除</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>鍵合邊緣缺陷?

    表面污染及其檢測(cè)方法

    表面潔凈度會(huì)極大的影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率。在所有產(chǎn)額損失中,高達(dá)50%是源自于表面
    的頭像 發(fā)表于 11-21 16:33 ?1790次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>表面</b>污染及其檢測(cè)<b class='flag-5'>方法</b>