一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-11-16 12:53 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。

什么是低溫等離子體刻蝕,除了低溫難道還有高溫嗎?等離子體的溫度?

等離子體是物質(zhì)的第四態(tài),并不是只有半導(dǎo)體制造或工業(yè)領(lǐng)域中才會有等離子體。等離子體廣泛存在于自然界中,如閃電,太陽表面都會有大量的等離子體產(chǎn)生,因為等離子體的實質(zhì)是氣體的電離。自然界的等離子體的核心溫度可以達到13500℃左右,即高溫等離子體,因此對于工業(yè)生產(chǎn)并無太大作用。 而低溫等離子體是一種人造的等離子體,通過等離子體提供能量,代替熱量,促進化學反應(yīng)的迅速發(fā)生,一般溫度從室溫到幾百攝氏度之間。 人造等離子體如何產(chǎn)生?

dbc75f2c-9cc0-11ef-a511-92fbcf53809c.png

1,降低腔體壓力。首先使用真空泵將腔體內(nèi)的壓力降低到一定的數(shù)值,低氣壓有助于控制等離子體的穩(wěn)定性,使氣體更容易被電離。

2,引入工藝氣體。向腔體中引入特定的工藝氣體。這些氣體將成為等離子體中的主要粒子來源。

3,激發(fā)等離子體。采用電源將氣體電離,從而形成等離子體。

4,關(guān)閉等離子體并恢復(fù)到大氣壓力。 低溫等離子體在半導(dǎo)體制造中的用途? 在干法刻蝕,PVD,CVD,ALD,離子注入,灰化,終點檢測等都有應(yīng)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 等離子體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    130

    瀏覽量

    14626
  • 刻蝕
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    206

    瀏覽量

    13414

原文標題:為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕?

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    干法刻蝕的評價參數(shù)詳解

    在MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對薄膜材料或襯底進行刻蝕的工藝,其評價參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕
    的頭像 發(fā)表于 07-07 11:21 ?404次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的評價參數(shù)詳解

    遠程等離子體刻蝕技術(shù)介紹

    遠程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù),尤其適用于碳氟化合物(FC)材料(如聚四氟乙烯PTFE)的精密處理。
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:34 ?350次閱讀
    遠程<b class='flag-5'>等離子體刻蝕</b>技術(shù)介紹

    一文詳解干法刻蝕工藝

    干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進制程的演進方向。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:01 ?1108次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>工藝

    半導(dǎo)體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹

    ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝,廣泛應(yīng)用于先進集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:33 ?947次閱讀

    干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)作為一種高性能材料,在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中,基于等離子體干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用,本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅
    的頭像 發(fā)表于 01-22 10:59 ?1119次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的概念、碳硅反應(yīng)<b class='flag-5'>離子刻蝕</b>以及ICP的應(yīng)用

    等離子體刻蝕和濕法刻蝕有什么區(qū)別

    等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過程、優(yōu)缺點及適用范圍都有很大的不同。 ? ? 1. 刻蝕原理和機制的
    的頭像 發(fā)表于 01-02 14:03 ?694次閱讀

    射頻電源的功率與頻率對刻蝕結(jié)果的影響

    ? 本文介紹了射頻電源的功率與頻率對刻蝕結(jié)果的影響。 干法刻蝕中,射頻電源的功率與頻率對刻蝕結(jié)果都有哪些影響? 什么是RF的功率與頻率? RF功率(RF Power),是指射頻電源提供給等離子
    的頭像 發(fā)表于 12-18 11:52 ?1770次閱讀

    干法刻蝕時側(cè)壁為什么會彎曲

    離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學作用相結(jié)合的過程,其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中,
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:13 ?825次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>時側(cè)壁為什么會彎曲

    芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

    本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過程中相當重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①
    的頭像 發(fā)表于 12-06 11:13 ?1611次閱讀
    芯片制造過程中的兩種<b class='flag-5'>刻蝕</b>方法

    干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

    彎曲?? 1,離子從光刻膠掩模邊緣散射,以特定角度進入刻蝕區(qū)域,導(dǎo)致側(cè)壁形貌的偏差。這種散射取決于掩模的傾斜角度,如果角度較大,散射更顯著。 ? 2,離子在鞘層中的散射:如果工藝壓力過高,在
    的頭像 發(fā)表于 12-03 11:00 ?951次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

    晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響

    本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。 ? 聚合物沉積?:工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在表面沉積
    的頭像 發(fā)表于 12-03 10:48 ?1247次閱讀
    晶圓表面溫度對<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的影響

    干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

    ? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。 干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些?各有什么作用? 1,溫度:晶圓表面溫度,溫度梯度 晶圓表面溫度:控制刻蝕表面的化學反應(yīng)速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性 溫度梯度
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:56 ?1740次閱讀

    等離子體的定義和特征

    等離子體的定義 等離子體是一種由離子、電子和中性粒子組成的電離氣體。在這種狀態(tài)下,物質(zhì)的部分或全部原子被電離,即原子核與電子分離,形成了帶正電的離子和自由移動的電子。這種電離狀態(tài)使得
    的頭像 發(fā)表于 11-29 10:06 ?4334次閱讀

    半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

    主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù),其中包括離子刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 10-18 15:20 ?1994次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>技術(shù)解析

    什么是電感耦合等離子體,電感耦合等離子體的發(fā)明歷史

    電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma, ICP)是一種常用的等離子體源,廣泛應(yīng)用于質(zhì)譜分析、光譜分析、表面處理等領(lǐng)域。ICP等離子體通過感應(yīng)耦合方式將射頻能量傳遞給氣體,激發(fā)成
    的頭像 發(fā)表于 09-14 17:34 ?2067次閱讀