01
自恢復(fù)保險(xiǎn)絲 + 二極管
優(yōu)點(diǎn):防反接的同時(shí),還防過流。
缺點(diǎn):1.自恢復(fù)保險(xiǎn)絲有個(gè)0.xV左右的壓降,大電流時(shí)會(huì)發(fā)熱。
2.高耐壓大電流的自恢復(fù)保險(xiǎn)絲,不僅體積巨大,還貴。
原理:
電源極性正確接入時(shí),二極管關(guān)斷,相當(dāng)于電路回路中串聯(lián)了一個(gè)自恢復(fù)保險(xiǎn)絲。
電源反接時(shí),二極管導(dǎo)通,使自恢復(fù)保險(xiǎn)絲過流熔斷,電流回路開路。
待自恢復(fù)保險(xiǎn)絲恢復(fù)時(shí),重復(fù)熔斷。
所以反接的時(shí)候,自恢復(fù)保險(xiǎn)絲會(huì)反復(fù)熔斷、恢復(fù),自恢復(fù)保險(xiǎn)絲和二極管會(huì)些許發(fā)熱。
設(shè)計(jì)要點(diǎn):D1的工作電流,起碼要大于 F1的熔斷電流(自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的熔斷電流一般為工作電流的2倍,具體看手冊)。
完整電路像這樣:
02
MOS管(N/P)
優(yōu)點(diǎn):占地面積小,成本低,壓降小,可過大電流。
原理:PMOS、NMOS做反接保護(hù)的原理都一樣,以PMOS的電路為例。
PMOS:- 電源極性正常接入時(shí)。Q2的寄生二極管導(dǎo)通,右側(cè)S極的電壓為 (24 -0.7)=23.3V。
G極電壓為 R9、R10的分壓 24 x (200/(100+200))= 16V。
于是 Q2的 Vgs = 16 - 23.3 = -7.3V。
大于 AO3401的門極導(dǎo)通閥限電壓 -1.3V,MOS管 DS極導(dǎo)通。
MOS導(dǎo)通后,MOS的寄生二極管被 DS短路。
此時(shí)的壓降 Vds僅等于 MOS-DS極內(nèi)阻 x 電流,Q2熱功耗很小。
- 電源反接時(shí),Q2的寄生二極管關(guān)斷,DS極需要承受電壓。
設(shè)計(jì)要點(diǎn):R9、R10的取值,要保證不會(huì)超出最大Vgs電壓范圍,并且留有一定安全余量。
MOS管的選型,要考慮Vds、Vgs、DS極導(dǎo)通電阻(Rds-on)、DS極電流。
MOS盡量使用 Rds-on小的型號(hào)。
P-MOS 反接保護(hù)電路:
圖中 R9、R10為分壓作用。使 P-MOS的 Vgs,不會(huì)超過±12V的最大 Vgs電壓范圍,并且留有一定安全余量。
AO3401 關(guān)鍵手冊參數(shù)截圖:
N-MOS 反接保護(hù)電路:
圖中 R9、R10為分壓作用。使 N-MOS的 Vgs,不會(huì)超過±12V的最大 Vgs電壓范圍,并且留有一定安全余量。
AO3400關(guān)鍵手冊參數(shù)截圖:
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電源
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二極管
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自恢復(fù)保險(xiǎn)絲
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反接保護(hù)
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原文標(biāo)題:電源反接保護(hù)電路:MOS防電源反接電路、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲過流反接保護(hù)電路
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