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CoolSiC MOSFET 650V G2，

7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝

CoolSiC MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝，以第1代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的系統(tǒng)設計。交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。

產(chǎn)品型號：

■IMW65R007M2H

■IMZA65R007M2H

產(chǎn)品特點

優(yōu)異的性能指標（FOM）

個位數(shù)RDS(on）

堅固耐用，整體質量高

靈活的驅動電壓范圍

支持單電源驅動，VGS（off）=0

避免誤開通

.XT技術改進封裝互聯(lián)

應用價值

節(jié)省物料清單

最大限度地提高單位成本的系統(tǒng)性能

最高可靠性

實現(xiàn)最高效率和功率密度

易于使用

與現(xiàn)有供應商完全兼容

允許無需風扇或無散熱器設計

競爭優(yōu)勢

開關損耗極低

標桿性柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V

柵極關斷電壓為0V，可抵御寄生導通

驅動電壓靈活，與正負電源驅動兼容

用于硬換流的堅固體二極管

.XT互聯(lián)技術可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

競爭優(yōu)勢

開關電源(SMPS)

光伏逆變器

儲能系統(tǒng)

UPS

電動汽車充電

電機驅動