CMP技術概述

化學機械拋光（CMP，Chemical Mechanical Polishing）作為一種關鍵的半導體制造工藝，近年來隨著半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，其重要性日益凸顯。CMP通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)對晶圓表面的超精密平坦化處理，是先進制程（如7nm、5nm及以下）中不可或缺的技術。

CMP技術平坦化處理對晶片表面影響示意圖 圖源：公開網(wǎng)絡

CMP的平坦化機理

1、基本原理

CMP的平坦化過程是通過化學腐蝕和機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)的。具體步驟如下：

化學反應層的形成：

拋光液中的化學試劑（如酸性或堿性溶液）與晶圓表面的材料發(fā)生化學反應，形成一層較軟的化學反應層。例如，在銅CMP過程中，氧化劑（如過氧化氫）會將銅氧化成氧化銅（CuO），形成一層氧化層。這層化學反應層比原始材料更軟，更容易被機械研磨去除。

機械研磨去除：

拋光墊上的磨料顆粒（如二氧化硅、氧化鋁等）在拋光墊的壓力作用下，與晶圓表面接觸，通過物理磨損的方式去除化學反應層。

拋光過程中的壓力和旋轉(zhuǎn)速度對研磨效率和表面質(zhì)量有重要影響。較高的壓力和速度可以提高去除速率，但可能會增加表面粗糙度。

表面平坦化:

通過化學和機械作用的協(xié)同作用，晶圓表面的凹凸不平被逐漸去除，最終實現(xiàn)平坦化的表面?；瘜W反應層被去除后，新的材料表面暴露出來，重復上述化學反應和機械研磨過程，直到達到所需的平坦化效果。

2、影響平坦化效果的因素

化學因素:拋光液成分、化學反應速率等。

機械因素:拋光墊特性、磨料顆粒特性、壓力、旋轉(zhuǎn)速度等。

工藝參數(shù):溫度、拋光時間等。

CMP的市場規(guī)模與需求分析

1、當前市場規(guī)模

2023年市場規(guī)模：全球CMP材料市場規(guī)模約為25億美元。

其中，拋光液占比最大，約為60%，拋光墊占比約為30%，其他材料（如清洗液、添加劑等）占比約為10%。

2024年第一季度市場規(guī)模：全球CMP材料市場規(guī)模約為7億美元，同比增長約10%。

主要增長驅(qū)動力來自半導體制造業(yè)的持續(xù)擴張，尤其是先進制程和新型材料（如金剛石、碳化硅、氮化鎵等）的需求增加。

2、需求分析

半導體制造業(yè)的需求：CMP工藝是半導體制造中不可或缺的步驟，尤其是在晶圓平坦化、多層金屬布線、先進封裝等領域。

隨著半導體制造工藝的不斷進步，對CMP工藝的平坦化精度和材料去除速率要求越來越高。

先進制程的需求：先進制程（如7nm、5nm及以下）對CMP工藝的需求尤為迫切，因為這些制程對表面平坦化和缺陷控制的要求極高。

新型材料的需求：金剛石、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等新型半導體材料的應用增加，對CMP工藝提出了新的挑戰(zhàn)和需求。

未來發(fā)展趨勢

高精度平坦化:CMP技術將朝著更高的平坦化精度和更低的表面粗糙度方向發(fā)展，以滿足先進制程的需求。

新材料應用:開發(fā)新的拋光液和拋光墊，以適應金剛石、碳化硅、氮化鎵等新型材料的需求。

環(huán)保和可持續(xù)性:開發(fā)更環(huán)保的拋光液和回收利用拋光墊等，推動CMP技術的可持續(xù)發(fā)展。

CMP作為半導體制造中的關鍵工藝，其平坦化機理通過化學和機械作用的協(xié)同作用實現(xiàn)。隨著半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，CMP的市場規(guī)模不斷擴大，需求不斷增加。未來，CMP技術將朝著高精度、新材料應用和環(huán)?？沙掷m(xù)的方向發(fā)展，市場規(guī)模預計將持續(xù)增長。