一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-11-28 01:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN 650V G5晶體管,該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

251924a0-ace1-11ef-8084-92fbcf53809c.png

CoolGaN 650V G5晶體管

最新一代CoolGaN晶體管可直接替代CoolGaN 600V G1晶體管,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有平臺(tái)的快速重新設(shè)計(jì)。新器件改進(jìn)了性能指標(biāo),確保為重點(diǎn)應(yīng)用帶來(lái)具有競(jìng)爭(zhēng)力的開關(guān)性能。與主要同類產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)品系列相比,CoolGaN 650V G5晶體管輸出電容中存儲(chǔ)的能量(Eoss)降低了多達(dá)50%,漏源電荷(Qoss)和柵極電荷(Qg)均減少了多達(dá)60%。憑借這些特性,新器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中都具有出色的效率。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體技術(shù)相比,其功率損耗大幅降低,根據(jù)具體使用情況可降低20%-60%。

這些優(yōu)勢(shì)使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN 650V G5晶體管使SMPS應(yīng)用變得更小、更輕,或在規(guī)定外形尺寸的情況下提高輸出功率范圍。

該新型高壓晶體管產(chǎn)品系列提供多種RDS(on)和封裝組合。十種RDS(on)等級(jí)產(chǎn)品采用各種SMD封裝,如ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL和TOLT。所有產(chǎn)品均在奧地利菲拉赫和馬來(lái)西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。未來(lái),CoolGaN將過(guò)渡到12英寸生產(chǎn)線。這將使英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)大其CoolGaN產(chǎn)能,并確保在GaN功率市場(chǎng)上擁有穩(wěn)健的供應(yīng)鏈。Yole Group預(yù)測(cè)到2029年,該市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到20億美元[1]。

[1] 來(lái)源:Yole Intelligence, 2024年氮化鎵功率器件報(bào)告

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2335

    瀏覽量

    140383
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    10003

    瀏覽量

    141140
  • 分立器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    232

    瀏覽量

    21859
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    1777

    瀏覽量

    117718
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

    當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率功率密度。因此,設(shè)計(jì)人員將氮化 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓
    的頭像 發(fā)表于 05-19 09:29 ?457次閱讀
    基于德州儀器TOLL封裝GaN<b class='flag-5'>器件</b>優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

    納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過(guò)車規(guī)認(rèn)證

    ? 納微功率GaNSafe氮化功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn),可為車載充電機(jī)(OBC)和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?1707次閱讀
    納微半導(dǎo)體GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片正式通過(guò)車規(guī)認(rèn)證

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過(guò)EMC

    和數(shù)據(jù)通信 伺服電動(dòng)機(jī) 工業(yè)的 汽車 CE65H110DNDl般特性 易于驅(qū)動(dòng),與標(biāo)準(zhǔn)門驅(qū)動(dòng)器兼容 低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) CE65H110DNDl好處 通過(guò)快速切換提高效率 功率密度
    發(fā)表于 03-31 14:26

    英飛凌推出新一代功率密度功率模塊,賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電

    【2025年3月12日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出新一代密度
    的頭像 發(fā)表于 03-19 16:53 ?397次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出新一代</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b><b class='flag-5'>功率</b>模塊,賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電

    氮化(GaN)充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

    器件的性能,使充電頭在體積、效率功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢(shì):1.體積更小,
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?976次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢(shì):1.體積更小,
    的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?504次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的代替材料就更加迫切。 氮化(GaN)被稱為第三半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、
    發(fā)表于 01-15 16:41

    PD快充芯片U8608凸顯功率密度優(yōu)勢(shì)

    PD快充芯片U8608凸顯功率密度優(yōu)勢(shì)氮化芯片具備令人矚目的功率密度特性,這意味著它可以在
    的頭像 發(fā)表于 12-19 16:15 ?527次閱讀
    PD快充芯片U8608凸顯<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>優(yōu)勢(shì)

    英飛凌新一代氮化產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    作為第三半導(dǎo)體材料的代表者,氮化(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新,隨著氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-06 01:02 ?904次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>全<b class='flag-5'>新一代</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    英飛凌推出高效率、功率密度新一代氮化功率分立器件

    【 2024 年 11 月 20 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 65
    發(fā)表于 11-20 18:27 ?791次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>高效率</b>、<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>的<b class='flag-5'>新一代</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>

    英飛凌攜手AWL-Electricity通過(guò)氮化功率半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線功率

    先進(jìn)的無(wú)線功率解決方案,為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。 英飛凌CoolGaN? GS61008P 此次合作將英飛凌的先進(jìn)氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 17:50 ?585次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>攜手AWL-Electricity通過(guò)<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線<b class='flag-5'>功率</b>

    分立器件在45W氮化快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

    成為市場(chǎng)上的新勢(shì)力。通常,氮化充電器具有高效率功率密度、節(jié)能環(huán)保、熱量控制優(yōu)秀、便攜性強(qiáng)、體積小、重量輕、充滿電時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn),很多高端
    的頭像 發(fā)表于 09-12 11:21 ?797次閱讀
    <b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>在45W<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

    氮化和砷化哪個(gè)先進(jìn)

    景和技術(shù)需求。 氮化(GaN)的優(yōu)勢(shì) 高頻與高效率氮化具有電子遷移率和低電阻率,使得它
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?5119次閱讀

    英飛凌600 V CoolMOS? 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革

    在日新月異的電力電子行業(yè),對(duì)更高效、更強(qiáng)大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對(duì)于新一代硅基MOSFET,英飛凌進(jìn)行了巨大的研發(fā)投入,以重新定義系統(tǒng)集成標(biāo)準(zhǔn),使其在廣泛的電力電子應(yīng)用中能夠?qū)?/div>
    的頭像 發(fā)表于 08-02 16:47 ?603次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>600 V CoolMOS? 8 <b class='flag-5'>新一代</b>硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革

    全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)的功率需求

    ?第三快速碳化硅功率器件打造, 以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。 下一代
    發(fā)表于 07-26 14:54 ?1897次閱讀
    全球最高<b class='flag-5'>功率密度</b>!納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)的<b class='flag-5'>功率</b>需求