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左藍微電子推出兩款PESAW高性能雙工器

左藍微電子Sappland ? 來源:左藍微電子Sappland ? 2024-12-13 17:51 ? 次閱讀
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近日,美國再次發(fā)布對華半導體出口管制措施,而中國多家行業(yè)協(xié)會開始呼吁中企審慎采購美國芯片。在國產(chǎn)化疊加政策支持背景下,高端射頻芯片的替換環(huán)境日趨成熟。與此同時,智能電動汽車以及智能可穿戴設備、智能家居等新興消費電子產(chǎn)品快速發(fā)展,也對射頻芯片提出了旺盛需求。

左藍微電子此次推出基于PESAW工藝的1612尺寸(1.6x1.2x0.6mm)Band20TX+20/28RX和Band28F兩款高性能、小尺寸雙工器,是移動通信領域的重要補充,非常適合智能手機、平板電腦、微基站等應用場景,能夠為日漸小型化的終端客戶設計提供更靈活的選擇,確保終端整體更加緊湊。

高性能1612 Band20TX+20/28RX雙工器

PESAW高性能1612 Band20TX+20/28RX雙工器具有優(yōu)異的帶內帶外性能,TX帶內插損典型值僅有0.9dB,RX帶內插損典型值為1.2dB(國外主流廠商該頻段產(chǎn)品TX和RX插損典型值一般在1.4dB和1.8dB),在TX頻率段和RX頻率段的隔離度典型值都達到58dB,TX的二倍頻抑制更是達到65dB,輸入功率達到30dBm@5000h,55℃。

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高性能1612 Band28F雙工器

PESAW高性能1612 Band28F雙工器TX帶內插損典型值1.2dB,RX帶內插損典型值僅有1.1dB(國外主流廠商該頻段產(chǎn)品TX和RX插損典型值一般在1.5dB),在TX頻率段和RX頻率段的隔離度典型值分別為59dB和57dB,TX的二倍頻抑制達到37dB,輸入功率達到30dBm@5000h,55℃。

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此次發(fā)布的上述兩款高性能、小尺寸雙工器綜合性能表現(xiàn)出色,各項指標皆可比肩國際一流產(chǎn)品。

近年來,我國5G技術及信號覆蓋速度處于全球領先地位,5G和物聯(lián)網(wǎng)技術的發(fā)展讓射頻器件的需求更具多樣化與挑戰(zhàn)性。左藍微電子致力于通過技術創(chuàng)新幫助終端設備制造商突破射頻性能的瓶頸,同時降低整體解決方案的功耗與成本。這兩款雙工器的發(fā)布,是左藍微電子在射頻濾波器領域持續(xù)創(chuàng)新的又一力證。

此次兩款高性能、小尺寸雙工器的推出,不僅進一步鞏固了左藍微電子在射頻濾波器領域的技術領先地位,同時也為行業(yè)合作伙伴提供了更加靈活、可靠的解決方案,助力移動通信與物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)的高質量發(fā)展。

在過去幾年里,“國產(chǎn)替代”已經(jīng)成為一個高頻詞匯。此次行業(yè)協(xié)會呼吁中國企業(yè)謹慎選擇美國芯片,本質上更是呼吁中國企業(yè)加強芯片技術自研和突破。左藍微電子也將持續(xù)加大研發(fā)投入,與高校及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴深度合作,共同推進射頻技術的國產(chǎn)化進程。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:左藍微電子推出兩款PESAW 高性能雙工器:1612尺寸Band20TX+20/28RX和Band28F

文章出處:【微信號:gh_6d7722346c2b,微信公眾號:左藍微電子Sappland】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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