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淺談瑞盟科技·MS8313——三個(gè)半 H 橋驅(qū)動(dòng)器集成電路

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2024-12-20 15:15 ? 次閱讀
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產(chǎn)品簡述

MS8313 提供三個(gè)可獨(dú)立控制的半 H 橋驅(qū)動(dòng)器??捎糜隍?qū)動(dòng)螺線管

或者其他負(fù)載,主要用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)三相無刷直流電機(jī)。每個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器

通道包含半 H 橋配置的 N 通道功率 MOSFET。MS8313 可將每個(gè)驅(qū)動(dòng)器

的接地端接至引腳,用于每個(gè)輸出上進(jìn)行電流檢測。

MS8313 內(nèi)置一個(gè)通用比較器,可用來做電流限制電路或者其它功

能電路。

MS8313 在半 H 橋的每個(gè)通道上提供 2.5A 峰值電流或者 1.75A 均方

根輸出電流。

該芯片具有過流保護(hù)、短路保護(hù)、欠壓保護(hù)以及過溫保護(hù)功能。

采用 28 腳散熱薄型小尺寸封裝,封裝為 eTSSOP28。

wKgZPGdlF7yAPbFXAABvXb8s428738.png

wKgZO2dlF8iARrOtAABC-MiAuxo720.png

主要特點(diǎn)

?三個(gè)半 H 橋驅(qū)動(dòng)器

?驅(qū)動(dòng)三相無刷直流電機(jī)

?獨(dú)立半橋控制

?用于 Low-Side 電流檢測引腳

?功率管低導(dǎo)通電阻

?24V,25°C 下 2.5A 最大峰值電流

?內(nèi)置比較器

?內(nèi)置 3.3V 10mA 低壓降穩(wěn)壓器(LDO)

?8V-36V 電源電壓范圍

?帶散熱片的表面貼片封裝

應(yīng)用

?HVAC 電機(jī)

?消費(fèi)類產(chǎn)品

?辦公自動(dòng)化設(shè)備

?工廠自動(dòng)化

?機(jī)器人

產(chǎn)品規(guī)格分類

wKgZPGdlGAGAVpfJAAAyo-eTn5Y500.png

管腳圖

wKgZPGdlGB-AdBTvAACUx-3sa4g671.png

wKgZPGdlGCyAKnglAAC3AlRW5TY453.png

管腳說明

wKgZPGdlGEiAc-W7AAHq2zqz3ak816.png

內(nèi)部框圖

wKgZPGdlGH6AdeYYAAD9I4lxRGo677.png

極限參數(shù)

芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會(huì)對器件造成永久的損壞,芯片長時(shí)間處于極限工作

狀態(tài)可能會(huì)影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出,并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

wKgZO2dlGLGADzNsAACHVRS27Cc409.png

電氣參數(shù)

wKgZO2dlGNiASat3AAJHVTPJpdU495.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZPGdlGOWAEsEQAAEvFbV_vMc971.png

功能描述

輸出級

MS8313 包括 3 個(gè)半 H 橋驅(qū)動(dòng)器,并且三個(gè)半 H 橋 Low-side 驅(qū)動(dòng) FET 的源級都做成了獨(dú)立端口

(PGND1,PGND2,PGND3),通過這些端口接電阻到地,即可實(shí)現(xiàn)電流檢測的功能。如果應(yīng)用時(shí)接上了檢

電阻,務(wù)必保證 PGNDx 端口電壓不得超過±500mV。

通道控制時(shí)序

INx 端口輸入信號之間控制輸出 OUTx 的狀態(tài),而 ENx 輸入信號控制通道 OUTx 關(guān)閉或者打開,時(shí)

序如下:

wKgZPGdlGWCAZqhiAAAXgZP8tAU163.png

電荷泵

由于輸出級采用的為 N 溝道 FET,所需的柵壓驅(qū)動(dòng)比電源電壓高才能使得管子完全打開。MS8313

內(nèi)部集成產(chǎn)生高壓的電荷泵電路,正常工作時(shí),電荷泵電路需要外接兩個(gè)電容,如下圖所示:

wKgZO2dlGXOAdi2vAAA25tRuu50096.png

內(nèi)置比較器

MS8313 內(nèi)部集成了一個(gè)比較器,該比較器可以用來做電流限制或者其他功能。

nRESET 控制功能

當(dāng) nRESET 腳為低時(shí),芯片復(fù)位。同時(shí)當(dāng)它有效時(shí),可以將所有輸出通道關(guān)閉,并且輸入信號將不

會(huì)對輸出產(chǎn)生影響。芯片內(nèi)部有上電復(fù)位電路,所以上電啟動(dòng)時(shí)不需要通過 nRESET 腳復(fù)位。

nSLEEP 控制功能

當(dāng) nSLEEP 腳為低時(shí),芯片進(jìn)入低功耗休眠模式,這個(gè)狀態(tài)下輸出將被關(guān)閉(高阻態(tài)),電荷泵也

被關(guān)閉,所有的內(nèi)部邏輯復(fù)位(包括錯(cuò)誤信號)。該模式下,輸出不會(huì)受到輸入信號的影響直到

nSLEEP 信號變成高。當(dāng)由休眠模式進(jìn)入工作模式時(shí),大約需要 1ms 時(shí)間,整個(gè)芯片輸出驅(qū)動(dòng)達(dá)到完全

工作狀態(tài)。需要注意的是,在休眠模式下,內(nèi)部 3.3VLDO 會(huì)繼續(xù)保持工作狀態(tài)。

保護(hù)電路

MS8313 具有欠壓保護(hù)、過流保護(hù)以及過溫保護(hù)功能。

MS8313 的過流保護(hù)包括兩個(gè)過程:快速響應(yīng),慢速響應(yīng)。在很短的時(shí)間內(nèi),超過快速響應(yīng)的過

流保護(hù)閾值,芯片將會(huì)采用模擬模式,保護(hù)芯片不會(huì)流過過高的尖峰電流。如果這個(gè)尖峰持續(xù)時(shí)間超

過芯片內(nèi)設(shè)定的時(shí)間(大約 6us),芯片將關(guān)閉相應(yīng)通道,并且在 nFAULT 輸出低信號。只有重新復(fù)位

或者重新上電才能使通道打開。

當(dāng)芯片的溫度超過設(shè)定的閾值,過溫保護(hù)電路將起作用,此時(shí)所有通道都會(huì)關(guān)閉,并且 nFAULT

輸出一個(gè)低電平信號。當(dāng)溫度回落至安全溫度,芯片將回到正常工作狀態(tài)。

當(dāng)芯片的電源電壓降低到欠壓保護(hù)的閾值以下,芯片將關(guān)閉所有通道,復(fù)位內(nèi)部邏輯電路,并且

在 nFAULT 輸出低電平信號。當(dāng)電壓回到閾值以上時(shí),芯片回到正常工作狀態(tài)。

典型應(yīng)用

MS8313 典型的應(yīng)用為三相無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng),該應(yīng)用下,三個(gè)輸出分別接到馬達(dá)的三個(gè)輸入,如下

圖所示:

wKgZPGdlGbCAHa-bAAE3Bo9RUKo812.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZO2dlGiWAHQuBAAFFxcE46rA797.png

封裝外形圖

wKgZO2dlGoaAXld5AAHbf-gg3oc706.png

wKgZPGdlGpWABUofAAGMmOQBI4Y769.png

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇

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