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芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級測試

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:學(xué)習(xí)那些事 ? 2024-12-24 11:25 ? 次閱讀
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本文介紹了芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級測試。

本文將介紹芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級測試,分述如下:

極限能力測試

封裝成品測試(Final Test, FT)

系統(tǒng)級測試(SLT)

1、極限能力測試

極限能力測試包括以下兩個方面:

浪涌電流測試

大容量的電氣設(shè)備接通或斷開瞬間,由于電網(wǎng)中存在電感,將在電網(wǎng)中產(chǎn)生浪涌電壓,從而產(chǎn)生浪涌電流。

浪涌電流測試的目的是評估電氣設(shè)備在遭受浪涌電流沖擊時的耐受能力。測試過程中,通常會使用專門的測試儀器,如浪涌發(fā)生器,來模擬真實的浪涌現(xiàn)象。測試步驟包括確定試驗條件、安裝與連接待測設(shè)備、設(shè)定試驗參數(shù)、執(zhí)行試驗、結(jié)果分析和改進措施等。

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在測試過程中,需要關(guān)注浪涌電流的波形、峰值和持續(xù)時間等參數(shù)。這些參數(shù)對電氣設(shè)備的性能和安全運行具有重要影響。如果浪涌電流過大,可能會導(dǎo)致設(shè)備損壞或故障,甚至可能引發(fā)火災(zāi)等安全事故。

為了避免浪涌電流對電氣設(shè)備的影響,電源通常會限制整流橋、熔斷器、AC開關(guān)、EMI濾波器所能承受的浪涌水平。同時,在設(shè)備設(shè)計和制造過程中,也需要采取相應(yīng)的措施來提高設(shè)備的抗浪涌能力。

雪崩能量測試

雪崩能量測試是針對功率場效應(yīng)晶體管(如MOSFET)的一種極限能力測試。

雪崩能量測試的目的是評估器件在雪崩擊穿狀態(tài)下能夠承受的最大能量。測試過程中,通常會使用專門的測試電路和設(shè)備來模擬雪崩擊穿現(xiàn)象,并測量器件在擊穿過程中消耗的能量。

雪崩能量測試包括可逆測試和不可逆測試兩種類型??赡鏈y試是指在測試過程中,器件在經(jīng)歷雪崩擊穿后能夠恢復(fù)正常工作狀態(tài)的測試。不可逆測試則是指器件在經(jīng)歷雪崩擊穿后無法恢復(fù)正常工作狀態(tài)的測試。不可逆測試不僅可以判定器件是否能承載電路的關(guān)斷回饋能量,還可以進行器件最大雪崩能量的測試。

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在測試過程中,需要關(guān)注雪崩能量的值、器件的擊穿電壓和電流等參數(shù)。這些參數(shù)對器件的性能和可靠性具有重要影響。如果雪崩能量過大,可能會導(dǎo)致器件損壞或失效。

為了提高器件的雪崩能量承受能力,可以在器件設(shè)計和制造過程中采取相應(yīng)的措施,如優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)、提高材料質(zhì)量、改進封裝工藝等。同時,在器件使用過程中,也需要注意避免過高的漏源電壓和電流等條件,以防止器件發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象。

綜上所述,極限能力測試是評估電氣設(shè)備或器件在極限條件下性能和安全性的重要手段。通過浪涌電流測試和雪崩能量測試等測試方法,可以全面了解設(shè)備或器件在極端條件下的表現(xiàn),并為設(shè)備或器件的設(shè)計、制造和使用提供重要的參考依據(jù)。

2、封裝成品測試(Final Test, FT)

封裝成品測試(Final Test, FT)是半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中的一個關(guān)鍵環(huán)節(jié),它針對封裝好的芯片進行設(shè)備應(yīng)用方面的全面檢測。

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以下是FT測試流程的詳細分述:

上線備料

目的:將待測的芯片整理并放置在標(biāo)準容器中,以便在測試機臺上進行自動化測試。

操作:確保待測品在分類機內(nèi)能夠被準確定位,便于自動化機械結(jié)構(gòu)自動上下料。

測試機臺測試

功能:測試機臺通過PE Card發(fā)出待測品所需的電信號,并接收待測品反應(yīng)的電信號,最終判斷產(chǎn)品的電性測試結(jié)果。

流程:待測品經(jīng)過入庫檢驗及上線備料后,進入測試機臺進行測試。

預(yù)燒爐(針對高單價芯片)

目的:為待測品提供一個高溫、高電壓、大電流的環(huán)境,使生命周期較短的芯片在加熱過程中提早暴露問題,降低客戶使用時的失敗率。

應(yīng)用:主要測試存儲器類產(chǎn)品。

電性抽測

目的:驗證測試機臺測試的準確性,通過抽取一定數(shù)量的待測品重回測試機臺進行測試,比較測試結(jié)果的一致性。

處理:若測試結(jié)果不一致,需檢查測試機臺、測試程序、測試配件及測試過程是否存在問題。

鐳射打印

操作:利用鐳射打印機,根據(jù)客戶的正印規(guī)格,在芯片上打印指定的標(biāo)識。

設(shè)備:如圖4-22所示,為鐳射打印機的實物圖。

人工檢腳或機器檢腳

目的:檢驗待測品的正印和接腳的對稱性、平整性及共面度等。

方式:有時利用鐳射掃描進行,有時則采用人工檢驗。

檢腳抽檢與彎角修整

抽檢:對彎角品進行抽檢,確保產(chǎn)品質(zhì)量。

修整:對彎角品進行修復(fù)作業(yè),確保接腳符合規(guī)格。

加溫烘烤

目的:在所有測試及檢驗流程之后,通過烘烤爐烘干待測品上的水汽,防止水汽腐蝕影響產(chǎn)品品質(zhì)。

操作:將待測品置于烘烤爐中進行烘烤。

包裝

操作:根據(jù)客戶的指示,將待測品從標(biāo)準容器內(nèi)分類包裝到客戶指定的包裝容器內(nèi),并粘貼必要的商標(biāo)。

要求:確保包裝符合客戶的規(guī)格和要求。

綜上所述,封裝成品測試(FT)是一個復(fù)雜而細致的過程,它涵蓋了從上線備料到包裝的多個環(huán)節(jié),旨在確保封裝好的芯片在設(shè)備應(yīng)用中表現(xiàn)出色,滿足客戶的品質(zhì)要求。

3、系統(tǒng)級測試(SLT)

系統(tǒng)級測試(SLT)是半導(dǎo)體及電子設(shè)備制造領(lǐng)域中的一項關(guān)鍵測試技術(shù),它旨在彌補ATE(自動測試設(shè)備)測試在復(fù)雜度和故障覆蓋率方面的不足。

以下是SLT測試流程及相關(guān)內(nèi)容的分述:

系統(tǒng)級測試(SLT)的重要性

技術(shù)進步的挑戰(zhàn):隨著工藝節(jié)點的不斷縮小和AI等設(shè)備中晶體管數(shù)量的激增,ATE測試的故障覆蓋率難以滿足100%的需求。SLT能夠發(fā)現(xiàn)并修復(fù)ATE測試中遺漏的故障,提高產(chǎn)品質(zhì)量。

復(fù)雜性的增加:SoC(系統(tǒng)級芯片)、SIP(系統(tǒng)級封裝)和軟件的復(fù)雜性增加,導(dǎo)致異步接口數(shù)量增多,軟硬件交互更加頻繁。SLT在復(fù)雜接口的測試方面更具優(yōu)勢,能夠經(jīng)濟有效地實現(xiàn)高故障覆蓋率。

產(chǎn)品上市時間的壓力:產(chǎn)品上市時間縮短,制造工藝缺陷較多,制造商需要在工藝缺陷率較高時加速出貨。SLT能夠在設(shè)備開發(fā)早期提高測試故障覆蓋率,減少后續(xù)返工修復(fù),縮短上市所需時間。

工藝和封裝技術(shù)的進步:前沿工藝和封裝技術(shù)的采用增加了潛在故障和新故障模式的概率。SLT能夠檢測到這些潛在故障,降低設(shè)備的整體成本。

SoC芯片的SLT測試主要項目

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對于SoC芯片,SLT的測試主要項目包括但不限于功能測試、性能測試、功耗測試、穩(wěn)定性測試、兼容性測試等。這些測試項目旨在全面評估SoC芯片的性能和可靠性。

SLT的通用流程

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分析測試結(jié)果:一旦出現(xiàn)故障,測試工程師需要依靠自身經(jīng)驗來判斷故障的原因,可能是SoC芯片設(shè)計問題、SoC系統(tǒng)板設(shè)計問題或測試軟件問題。根據(jù)故障原因,采取相應(yīng)的修復(fù)措施。

綜上所述,系統(tǒng)級測試(SLT)在半導(dǎo)體及電子設(shè)備制造領(lǐng)域中具有重要意義。通過SLT測試,可以全面評估SoC芯片的性能和可靠性,提高產(chǎn)品質(zhì)量和競爭力。

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原文標(biāo)題:芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級測試

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