芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù)，主要用于通過(guò)化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。

基本概念

濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學(xué)溶液中以去除不需要材料的工藝，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件如芯片、傳感器和光電器件的制造過(guò)程中。

與干法蝕刻相比，濕法蝕刻通常具有較低的設(shè)備成本和較高的生產(chǎn)效率，適合大規(guī)模生產(chǎn)。

化學(xué)原理

基于化學(xué)反應(yīng)的選擇性，不同材料在特定化學(xué)溶液中的溶解速率不同，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)材料的精確去除。

常用的濕法蝕刻溶液包括氫氟酸（HF）、硝酸（HNO3）、磷酸（H3PO4）等。這些溶液的選擇和配比直接影響到蝕刻效果和工藝的穩(wěn)定性。

工藝流程

預(yù)處理：清洗硅片，去除表面的污染物和氧化層。

涂覆光刻膠：在硅片表面涂覆一層光刻膠，用于保護(hù)不需要被蝕刻的部分。

曝光顯影：通過(guò)光刻技術(shù)將所需的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上。

蝕刻過(guò)程：將硅片浸入蝕刻液中，未被光刻膠保護(hù)的部分將被化學(xué)溶液蝕刻掉。

清洗烘干：蝕刻完成后，去除殘留的光刻膠和蝕刻液，然后進(jìn)行清洗和烘干。

各向同性與各向異性

各向同性蝕刻在所有方向上均勻進(jìn)行，產(chǎn)生圓形橫截面特征。

各向異性蝕刻在某些方向上優(yōu)先進(jìn)行，從而形成由平坦且輪廓分明的表面勾勒出的溝槽或空腔。

審核編輯 黃宇