挑戰(zhàn)傳統(tǒng)，打破限制，勇攀高峰，打破常規(guī)者們在尋求開創(chuàng)性解決方案的過程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規(guī)者》播出后，將推出一系列文章，展示公司在重塑技術、重新定義行業(yè)標準方面采取的各種“打破常規(guī)”的創(chuàng)新舉措。本系列第六篇文章將重點介紹公司如何通過設計創(chuàng)新成功研發(fā)出行業(yè)領先的GDDR7。

“在事成之前，一切總看似不可能。“納爾遜·曼德拉（Nelson Mandela）的這句名言強調了不斷克服看似無法逾越的挑戰(zhàn)以達成目標的重要性，而這一方法對于在快速發(fā)展的半導體行業(yè)中取得成功至關重要。

隨著行業(yè)標準的不斷更新，半導體公司肩負重任，需要尋找符合這些標準的必要技術解決方案。SK海力士在這一領域積累了豐富的經(jīng)驗，公司近期成功實現(xiàn)的最新GDDR1（圖形用DRAM）——GDDR7提升后的速度規(guī)格，正是其卓越實力的有力證明。

1圖形用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器（GDDR, Graphics DDR）:由JEDEC固態(tài)技術協(xié)會規(guī)定的標準圖形用DRAM規(guī)格，為了更快地處理圖形而制定，是目前人工智能和大數(shù)據(jù)應用中最受歡迎的存儲器芯片之一。

本系列第六篇文章將聚焦公司如何通過設計與技術創(chuàng)新和跨部門協(xié)作，成功研發(fā)出業(yè)內領先、運行速度最快的GDDR7。

使命：尋求技術解決方案

以滿足GDDR7速度標準

傳統(tǒng)上應用于圖形處理和游戲的GDDR DRAM，如今憑借其并行處理能力和隨產(chǎn)品迭代而不斷提升的速度和功耗效率等先進規(guī)格，已被廣泛應用于人工智能、高性能計算（HPC）和自動駕駛等多個領域。

為滿足GDDR7提升后的行業(yè)速度標準，SK海力士在設計與技術方面進行了關鍵創(chuàng)新

JEDEC固態(tài)技術協(xié)會是微電子行業(yè)的全球標準化機構，負責制定GDDR存儲器標準，其中包括了不斷提高的速度標準。舉例說明，該協(xié)會把數(shù)據(jù)傳輸速率從GDDR5的每引腳5-10Gbps（每秒5-10千兆比特）提升到了GDDR6的14–20Gbps（每秒14-20千兆比特）。針對GDDR7，JEDEC固態(tài)技術協(xié)會設定了24–32Gbps（每秒24-32千兆比特）的目標數(shù)據(jù)傳輸速率范圍，此舉給一眾半導體公司帶來了更大壓力，迫使其不得不進行調整以滿足最新規(guī)格。

GDDR7規(guī)格中的一項主要變化是引入了新的信號傳輸接口，目的是實現(xiàn)目標高速率。在JEDEC固態(tài)技術協(xié)會制定的DRAM產(chǎn)品標準中，GDDR7是首個被要求使用創(chuàng)新性脈沖幅度調制（PAM, Pulse Amplitude Modulation）2方法來實現(xiàn)高頻運行的。與傳統(tǒng)的不歸零（NRZ, Non-Return-to-Zero）3接口采用雙電平傳輸數(shù)據(jù)不同，全新的PAM3系統(tǒng)采用了三個電平，可以實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提升性能。

2脈沖幅度調制（PAM, Pulse Amplitude Modulation）：一種信號處理過程，將信號在特定時間的幅度表示為二進制數(shù)，使連續(xù)模擬信號轉換為離散模擬脈沖。

3歸零 （NRZ, Non-Return-to-Zero）：一種簡易的信號傳輸接口，通過信號的兩個電平來傳輸信息。顧名思義，它所傳輸?shù)男盘栐谵D換為二進制數(shù)時，不會變?yōu)榱恪?/p>

采用三個電平傳輸數(shù)據(jù)，PAM3的數(shù)據(jù)傳輸速率比采用雙電平的NRZ接口更快

為了滿足高數(shù)據(jù)傳輸速率規(guī)格的嚴苛要求，并支持PAM3接口，GDDR7產(chǎn)品必須采用多項前沿技術和設計創(chuàng)新。除了面臨這些技術挑戰(zhàn)外，SK海力士還須對此前用于GDDR6的測試方法進行徹底革新。在測試過程中，公司在確保產(chǎn)品在實際系統(tǒng)環(huán)境中與設備測試階段達到相同性能方面，遇到了不小的挑戰(zhàn)。

在設計技術創(chuàng)新和重新審視測試方法的使命中，SK海力士充分利用了其卓越的設計專長、集合全公司深厚的技術實力，展現(xiàn)出應對新挑戰(zhàn)時所具備的成熟能力。

設計創(chuàng)新、協(xié)作，及新測試方法，

助力實現(xiàn)速度目標

SK海力士借鑒了其在GDDR6開發(fā)過程中的寶貴經(jīng)驗，并在GDDR7項目中開展了跨部門協(xié)作，針對多個關鍵設計要素進行了優(yōu)化，同時整合了先進技術，以實現(xiàn)極具挑戰(zhàn)性的產(chǎn)品速度目標。

在量產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品中，SK海力士率先將T型線圈4電感器融入其設計之中，這一決策是在經(jīng)過多次嚴謹?shù)臏y試和評估，并對金屬層進行了優(yōu)化后做出的。T型線圈通過有效降低高頻損耗，顯著提升了信號完整性，從而擴大了數(shù)據(jù)眼圖裕量5，進而實現(xiàn)了可靠的高速數(shù)據(jù)傳輸。

4T型線圈：一種常用于模擬和射頻電子的感性電路，用來提高信號完整性和電路整體性能。

5數(shù)據(jù)眼圖裕量：數(shù)字信號眼圖所標示的安全裕量，是信號完整性的一種呈現(xiàn)方式，可確保高速通信系統(tǒng)中的可靠數(shù)據(jù)傳輸。

SK海力士推出了多項設計創(chuàng)新，以滿足GDDR7更高的速度標準

SK海力士還采用了成熟穩(wěn)健的寫入時鐘（WCK）架構，這是一種專門用于數(shù)據(jù)輸入和輸出操作的高速時鐘信號。這一設計使得數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r序控制更加精準，從而實現(xiàn)了更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。為了在高速下保持穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸，公司將散熱基板的層數(shù)從4層增加至6層，并采用環(huán)氧樹脂模塑料（EMC, Epoxy Molding Compound）6作為封裝材料，以降低熱阻。

6環(huán)氧樹脂模塑料（EMC, Epoxy Molding Compound）:半導體封裝的重要材料，用于密封芯片，使其免受潮濕、高溫、震動的影響。

為了提升測試環(huán)境并確保性能的一致性，公司還特別組建了一支專業(yè)團隊。該團隊構建了一個評估、分析及管理環(huán)境體系，以確保模擬結果與實際系統(tǒng)實施效果的一致性。此外，該團隊還明確了保障系統(tǒng)環(huán)境特性的關鍵設計參數(shù)，并開發(fā)了用于高速運行的電路方案。

在PAM3測試方面，SK海力士首先通過生產(chǎn)測試芯片，成功驗證了PAM3運行的可行性。此外，公司亟需一種解決方案，以便在采用NRZ信號的現(xiàn)有量產(chǎn)設備上對PAM3進行測試。通過與相關部門積極協(xié)作及測試工作組的不懈努力，公司利用NRZ信號傳輸設備對PAM3進行了功能驗證和量產(chǎn)測試，這一舉措使得SK海力士能夠在沒有全新測試基礎設施的情況下，顯著提升了GDDR7的多電平I/O的驗證能力。

除提升速度和集成PAM3信號傳輸相關的創(chuàng)新外，SK海力士還通過支持異構電源模式，確保了GDDR7在功耗效率方面的競爭優(yōu)勢。這一突破性進展使得產(chǎn)品能夠在更低的電壓下高效運行，公司因此顯著地提升了節(jié)能效果。

重新定義速率與功耗效率的新標桿

憑借超快的數(shù)據(jù)傳輸速率和數(shù)據(jù)處理速度，GDDR7提供了行業(yè)領先的產(chǎn)品規(guī)格

憑借卓越的內部協(xié)作能力、克服技術難題的實力，及以往在GDDR領域積累的豐富經(jīng)驗，SK海力士于2024年7月成功研發(fā)出業(yè)界領先的GDDR7。這款開創(chuàng)性產(chǎn)品實現(xiàn)了行業(yè)領先的32Gbps（每秒32千兆比特）的數(shù)據(jù)傳輸速率，比上一代產(chǎn)品快60%以上，并且根據(jù)實際情況，其數(shù)據(jù)傳輸率可最高提升至40Gbps（每秒40千兆比特），展現(xiàn)出無與倫比的性能潛力。

SK海力士GDDR7在應用于高端顯卡時，其數(shù)據(jù)處理速度可突破每秒1.5TB，相當于每秒可處理300部容量分別為5GB的全高清電影?？傮w而言，與上一代產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的熱阻降低了74%。

除了提高速度和散熱性能外，與上一代產(chǎn)品相比，SK海力士還將功耗效率提高了50%以上。這一改進對于確保GDDR7在人工智能等更高要求應用領域中保持高性能，同時最大程度地降低能耗，具有至關重要的意義。

這些卓越的性能突破使SK海力士的GDDR7達到了全球最高規(guī)格。此次研發(fā)不僅提升了產(chǎn)品的特性，更確立了其在高速傳輸方面的領先地位，這也將使移動端存儲器等其他DRAM產(chǎn)品從中受益，進一步鞏固了SK海力士在高速解決方案領域的主導優(yōu)勢。

打破常規(guī)者專訪：

圖形設計組，車鎮(zhèn)燁組長

本文采訪了DRAM設計部圖形設計組（主要負責設計圖形DRAM）的車鎮(zhèn)燁組長，以深入了解公司在GDDR開發(fā)領域所采取的創(chuàng)新策略。作為曾經(jīng)主導GDDR7設計工作的專家，車鎮(zhèn)燁無疑是闡述不斷提高速度特性帶來的挑戰(zhàn)，以及下一代GDDR存儲器發(fā)展目標的最佳人選。

Q：隨著DRAM產(chǎn)品的更新?lián)Q代，JEDEC固態(tài)技術協(xié)會對速度規(guī)格的要求顯著提升。您認為在持續(xù)地實現(xiàn)如此程度的速度提升時，最大的阻礙是什么？

A：“在確保速度特性方面，單靠設計方案來實現(xiàn)是有局限性的。只有將設備、規(guī)格、測試和封裝等前沿技術元素與設計創(chuàng)新相結合，才能達成這一目標?！?/p>

“最具挑戰(zhàn)性的方面在于持續(xù)監(jiān)測市場需求，并前瞻性地識別出需要開發(fā)的技術。關于后者，通過與相關部門緊密協(xié)作，積極籌備必要的基礎技術尤為重要?！?/p>

Q：作為團隊領導者，您會關注哪些方面來鼓勵團隊成員不斷發(fā)揮創(chuàng)造力，并超越局限？

A：“為了實現(xiàn)既定目標，我傾向于跟團隊成員討論來確定方向，大膽地承擔新任務。無論前方道路上有多少挑戰(zhàn)，我們都將其視為磨礪技能、重新定義極限的機會。”

“尤其是，新任務無法僅依靠設計團隊獨自完成，必須與相關部門展開深入?yún)f(xié)作。因此，我竭盡所能地去營造一個鼓勵團隊成員自發(fā)與其他部門攜手合作的氛圍?！?/p>

Q：在SK海力士正在著手研發(fā)下一代GDDR產(chǎn)品，您能否簡要介紹一下所在部門的目標或發(fā)展方向？

A：“我們的目標是鞏固在技術競爭力方面的優(yōu)勢，繼續(xù)引領圖形存儲器市場。隨著圖形市場領域的不斷擴展，我們計劃通過卓越的產(chǎn)品競爭力，爭取實現(xiàn)市場占有率第一，從而為公司的持續(xù)發(fā)展貢獻力量?！?/p>