3月26日-27日,2025中國國際音頻產(chǎn)業(yè)大會(GAS)在上海召開。在2025年“GAS消費(fèi)電子科創(chuàng)獎”評選中,長城汽車提交的“魏牌全新藍(lán)山Coffee AI Sound智能音響系統(tǒng)”榮獲
發(fā)表于 03-28 11:37
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近日,2025中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟大會暨協(xié)同創(chuàng)新交流會在北京舉辦。會議同期揭曉了第八屆“IC創(chuàng)新獎”評選結(jié)果并舉行頒獎儀式,紫光國芯自主研發(fā)的車規(guī)級
發(fā)表于 03-25 09:58
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近日,“ 2025中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟大會暨協(xié)同創(chuàng)新交流會”在北京成功舉辦。本次大會上,飛騰騰云 S5000C 處理器憑借其卓越的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力,榮獲
發(fā)表于 03-25 09:16
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的6400 Mbps提升約33%,可處理8K視頻流、實(shí)時AI計算等密集型任務(wù)。三星近期推出的LPDDR5X-Ultra-Pro甚至將速率提升至12700 MT/s(
發(fā)表于 03-17 10:16
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規(guī)范,將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ? 三星稱其為LPDDR5
發(fā)表于 02-28 00:07
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美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,三星Galaxy S25系列的部分設(shè)備已搭載美光業(yè)界前沿的LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0。該系列引入多模態(tài)AI助理,開創(chuàng)性地為用戶帶來直觀
發(fā)表于 02-25 09:44
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大放異彩,成功榮獲CES創(chuàng)新獎。 SL-2.2作為SOLiDVUE的得意之作,憑借其世界首創(chuàng)的400 x 128高分辨率技術(shù),在同類產(chǎn)品中脫穎而出。這一卓越的性能不僅展現(xiàn)了SOLiDV
發(fā)表于 01-20 13:57
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在CES 2025開幕前夕,三星半導(dǎo)體專為智能手表和可穿戴設(shè)備打造的Exynos W1000處理器,以其卓越的性能與能效比,重新定義了智能穿戴設(shè)備的使用體驗(yàn),獲得了CES
發(fā)表于 12-31 15:20
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在CES 2025開幕前夕,三星半導(dǎo)體憑借ALoP技術(shù)在成像技術(shù)領(lǐng)域脫穎而出,獲得了CES 2025成像領(lǐng)域
發(fā)表于 12-31 15:19
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在近日舉行的CES 2025國際消費(fèi)電子展上,xMEMS公司憑借其開創(chuàng)性的XMC-2400 μCooling?芯片榮獲了“計算機(jī)硬件和組件最佳產(chǎn)品”類別的創(chuàng)新獎。這款芯片是全球首款全硅
發(fā)表于 12-24 15:29
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人工智能(AI)應(yīng)用而設(shè)計。該產(chǎn)品在CES 2025創(chuàng)新獎中榮獲“計算機(jī)硬件和組件最佳產(chǎn)品”類別獎項。 ? CES
發(fā)表于 12-13 14:22
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近日,全球領(lǐng)先的基于人工智能的駕駛員監(jiān)控和艙內(nèi)感知技術(shù)供應(yīng)商Smart Eye宣布,其開創(chuàng)性的、具有同理心的AI輔助駕駛系統(tǒng)Sheila榮獲2025年國際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(CES)創(chuàng)新獎
發(fā)表于 11-25 14:13
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三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實(shí)現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減,縮減幅度高達(dá)9%
發(fā)表于 08-07 11:21
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三星電子于6日正式宣布,其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機(jī)存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產(chǎn),這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè),同時提供12GB及16GB的存儲容量選項。
發(fā)表于 08-06 15:30
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三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm,散熱控制能力更強(qiáng),適合端側(cè)AI在移動端的應(yīng)用 LPDDR封裝采用12納米級工藝,四層堆疊,在提升Die密度的同時,減少厚度,提高耐熱性
發(fā)表于 08-06 08:32
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