傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔助電源設(shè)計（反激驅(qū)動驅(qū)動電壓限制，無法最大化碳化硅MOSFET能力的情況下）,取代老舊的平面高壓硅MOSFET方案。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. 設(shè)計目標(biāo)與限制條件

輸入電壓：1000V DC（電力電子系統(tǒng)母線電壓）

驅(qū)動電壓：12V（B2M600170H性能受到限制）

輸出功率：最大化設(shè)計（受限于溫升與效率）

關(guān)鍵約束：

BASiC基本股份 BTP2843DR：最大占空比96%，開關(guān)頻率≤500kHz，驅(qū)動電流1A。

BASiC基本股份 B2M600170H：1700V耐壓，7A連續(xù)電流（25℃），但碳化硅MOSFET R_DS(on)受驅(qū)動電壓影響較大，也有貼片封裝TO263-7的B2M600170R。

安全裕量：V_DS(max) < 1500V（1700V耐壓的88%）。

2. 關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計與優(yōu)化

(1) MOSFET電壓與電流應(yīng)力

電壓應(yīng)力：

VDS(max)?=Vin?+VOR?+Vspike?=1000V+200V+200V=1400V

（反射電壓 VOR?=200V，漏感尖峰 Vspike?=200V，需優(yōu)化RCD吸收電路）

峰值電流：

Ipeak?=η?Vin??Dmax?2Pout??=0.85?1000V?0.962?250W?≈0.63A

(2) 功率極限

理論最大功率（考慮R_DS(on)=1.2Ω）：

Pmax?=21?Lp?Ipeak2?fsw??η=21??1.5mH?(1.2A)2?150kHz?0.85≈165W

優(yōu)化目標(biāo)：通過調(diào)整開關(guān)頻率與變壓器設(shè)計，實現(xiàn) 200W輸出（24V/8.3A）。

3. 詳細設(shè)計步驟

(1) 變壓器設(shè)計

磁芯選型：ETD44（Ae=1.73cm2，Bmax=0.25T），支持高頻與高功率密度。

初級電感量：

Lp?=Ipeak??fsw?Vin??Dmax??=1.2A?150kHz1000V?0.96?≈4.44mH

匝數(shù)比：

N=Vout?+VD?VOR??=24V+0.5V200V?≈8.1(取8:1)

繞組參數(shù)：

初級：128匝（利茲線，線徑0.5mm2，降低高頻損耗）。

次級：16匝（多股絞線，線徑1.2mm2）。

輔助繞組：20匝（整流后≈15V，供BTP2843DR）。

(2) MOSFET驅(qū)動與保護

門極驅(qū)動：

驅(qū)動電阻 Rg?=Idrive?Vdrive??=1A12V?=12Ω(選用10Ω+2Ω分壓)。

添加加速電容（220pF）以減少開關(guān)時間。

RCD吸收電路：

電容：4.7nF/2kV陶瓷電容。

電阻：33kΩ/10W，二極管：2kV/3A SiC二極管（C4D20120D）。

(3) 電流檢測與限流

檢測電阻：

Rsense?=Ipeak?VISENSE??=1.2A1V?≈0.83Ω(選用0.82Ω/5W合金電阻)

逐周期限流：BTP2843DR內(nèi)部比較器觸發(fā)閾值1V，保護MOSFET過流。

4. 損耗分析與散熱設(shè)計

(1) 損耗計算

導(dǎo)通損耗（R_DS(on)=1.2Ω）：

Pcond?=IRMS2??RDS(on)?=(0.8A)2?1.2Ω=0.77W

（假設(shè)DCM模式，I_RMS≈0.8A）

開關(guān)損耗（E_on=80μJ，E_off=13μJ）：

Psw?=(Eon?+Eoff?)?fsw?=93μJ?150kHz=13.95W

總損耗：≈15W（需強制風(fēng)冷，散熱器熱阻≤2°C/W）。

(2) 效率估算

η=Pout?+Ploss?Pout??=200W+15W200W?≈93%

5. 關(guān)鍵驗證與優(yōu)化

(1) 電壓與電流應(yīng)力測試

MOSFET VDS波形：示波器觀測尖峰<1400V，優(yōu)化RCD參數(shù)（如增大電容至6.8nF）。

初級電流波形：峰值≤1.2A，無磁芯飽和（ETD44磁芯余量充足）。

(2) 溫升測試

MOSFET結(jié)溫：紅外測溫<110°C（強制風(fēng)冷，散熱器熱阻2°C/W）。

變壓器溫升：<55°C（利茲線降低銅損）。

(3) 輸出功率驗證

滿載測試：輸入1000V DC，輸出24V/8.3A（200W），持續(xù)運行1小時無降額。

6. 最終參數(shù)與性能

參數(shù)數(shù)值輸出功率200W（24V/8.3A）開關(guān)頻率150kHz占空比96%效率（滿載）88%-90%溫升（MOSFET）<110°C（強制風(fēng)冷）隔離耐壓≥4kV（AC，1分鐘）EMI通過CISPR 32 Class B

7. 設(shè)計總結(jié)與注意事項

設(shè)計亮點

高壓隔離：采用三重絕緣線繞制變壓器，初級-次級間距≥10mm。

高頻優(yōu)化：利茲線與PQ磁芯組合，降低高頻損耗。

散熱保障：強制風(fēng)冷+熱阻2°C/W散熱器，確保MOSFET結(jié)溫安全。

注意事項

驅(qū)動電壓限制：若需降低R_DS(on)，可嘗試提升V_GS至15V（需調(diào)整輔助繞組匝數(shù)）。

降額設(shè)計：實際運行功率建議≤160W（80%負載），延長器件壽命。

EMI抑制：輸入級添加X2電容（0.47μF/1kV）與共模電感（10mH）。

7. 設(shè)計總結(jié)

通過最大化占空比（96%）、優(yōu)化變壓器設(shè)計（ETD49磁芯）與強制散熱，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BTP2843DR和B2M600170H實現(xiàn)200W反激輔助電源。
注意事項：

需嚴(yán)格監(jiān)控MOSFET溫升，避免熱失效。

高頻噪聲需通過屏蔽與濾波抑制（如添加共模磁環(huán)）。

實際功率可能受限于PCB布局與散熱條件，建議預(yù)留20%降額。

此設(shè)計適用于高功率電力電子系統(tǒng)（如工業(yè)變頻器、儲能PCS、光伏逆變器、APF）的輔助供電，兼具高功率密度與可靠性。