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監(jiān)控?cái)z像頭靜電保護(hù):ESD(TVS)器件選型指南

晶揚(yáng)電子 ? 來源:晶揚(yáng)電子 ? 2025-02-18 11:03 ? 次閱讀
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視頻監(jiān)控系統(tǒng)從最初的模擬視頻監(jiān)控發(fā)展到如今與AI智能技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)整合,其內(nèi)部硬件與外部接口也發(fā)生的很大的改變和更新迭代。由于監(jiān)控?cái)z像頭外部的接口類型眾多,同時(shí)監(jiān)控?cái)z像頭大多擺放于戶外環(huán)境,較容易遇到ESD/EOS能量干擾,因此在進(jìn)行電路ESD防護(hù)設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)選擇具有ESD/EOS耐受能力的防護(hù)元件,否則當(dāng)外部ESD/EOS能量干擾到系統(tǒng)時(shí),監(jiān)控?cái)z像頭系統(tǒng)就可能遭到破壞。

本應(yīng)用方案從監(jiān)控?cái)z像頭各種類型的接口出發(fā),以晶揚(yáng)電子相應(yīng)規(guī)格的ESD保護(hù)器件為不同的模塊和應(yīng)用場(chǎng)景提供豐富的ESD保護(hù)應(yīng)用方案。主要采用的ESD保護(hù)芯片型號(hào)為TS1211LB、TS0301VE、TT0301NB、TT0521SB、TS0511LE、TT0514TL、TT3304SP、TT0314TP。

TS1211LB

(1)如下圖1為TS1211LB保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表1為TS1211LB保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出,TS1211LB主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的,它具有一個(gè)通道數(shù),VRWM(最大連續(xù)工作的脈沖電壓)為12V,即反向電壓12V,加于TS1211LB上時(shí),二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為13.3V,即25°C時(shí),所加的反向電壓在13.3V之前,保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通;VC@Ipp(鉗位電壓@脈沖電流)為19V@5A,即在流過的峰值電流為5A其兩端電壓可以鉗位在19V;Cj為70pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。

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圖1 TS1211LB內(nèi)部電路示意圖

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圖1 TS1211LB內(nèi)部電路示意圖

TS0301VE

(2)如下圖2為TS0301VE保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表4為TS0301VE保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出,TS0301VE主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的,它具有一個(gè)通道數(shù),VRWM(最大連續(xù)工作的脈沖電壓)為3.3V,即反向電壓3.3V加于TS0301VE上時(shí),二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為3.5V,即25°C時(shí),所加的反向電壓在3.5V之前,保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通;VC@Ipp(鉗位電壓@脈沖電流)為7V@2A,即在流過的峰值電流為2A其兩端電壓可以鉗位在7V;Cj為2pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。

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圖2 TS0301VE內(nèi)部電路示意圖

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表2 TS0301VE主要性能參數(shù)

TT0301NB

(3)如下圖3為TT0301NB保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表3為TT0301NB保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出,TT0301NB主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的,它具有一個(gè)通道數(shù),VRWM(最大連續(xù)工作的脈沖電壓)為3.3V,即反向電壓3.3V加于TT0301NB上時(shí),二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為5.2V,即25°C時(shí),所加的反向電壓在5.2V之前,保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通;VC@Ipp(鉗位電壓@脈沖電流)為7V@1A,即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在7V;Cj為16pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。

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圖3TT0301NB內(nèi)部電路示意圖

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表3 TT0301NB主要性能參數(shù)

TT0521SB

(4)如下圖4為TT0521SB保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表4為TT0521SB保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出,TT0521SB主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的,它具有一個(gè)通道數(shù),VRWM(最大連續(xù)工作的脈沖電壓)為12V,即反向電壓5V加于TT0521SB上時(shí),二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為6V,即25°C時(shí),所加的反向電壓在6V之前,保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通;VC@Ipp(鉗位電壓@脈沖電流)為12V@1A,即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V;Cj為0.35pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。

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圖4TT0521SB內(nèi)部電路示意圖

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表4 TT0521SB主要性能參數(shù)

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TS0511LE

(5)如下圖5為TS0511LE保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表5為TS0511LE保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出,TS0511LE主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的,它具有一個(gè)通道數(shù),VRWM(最大連續(xù)工作的脈沖電壓)為12V,即反向電壓5V加于TS0511LE上時(shí),二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為6V,即25°C時(shí),所加的反向電壓在6V之前,保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通;VC@Ipp(鉗位電壓@脈沖電流)為12V@1A,即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V;Cj為150pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。

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圖5TS0511LE內(nèi)部電路示意圖

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表5 TS0511LE主要性能參數(shù)

TT0514TL

(6)如下圖6為TT0514TL保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表6為TT0514TL保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出,TT0514TL主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管陣列組成的,它具有四個(gè)通道數(shù),VRWM(最大連續(xù)工作的脈沖電壓)為12V,即反向電壓5V加于TT0514TL上時(shí),二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為6V,即25°C時(shí),所加的反向電壓在6V之前,保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通;VC@Ipp(鉗位電壓@脈沖電流)為12V@1A,即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V;Cj為0.6pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。

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圖6TT0514TL內(nèi)部電路示意圖

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表6 TT0514TL主要性能參數(shù)

TT3304SP

(7)如下圖7為TT3304SP保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表7為TT3304SP保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出,TT3304SP主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管陣列組成的,它具有4個(gè)通道數(shù),VRWM(最大連續(xù)工作的脈沖電壓)為3.3V,即反向電壓3.3V加于TT3304SP上時(shí),二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為6.5V,即25°C時(shí),所加的反向電壓在6.5V之前,保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通;VC@Ipp(鉗位電壓@脈沖電流)為8V@6A,即在流過的峰值電流為6A其兩端電壓可以鉗位在8V;Cj為0.18pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。該款產(chǎn)品是是一款DFN2510-10L的小封裝四路陣列型的ESD保護(hù)IC,最低容值達(dá)到0.18pf,可以滿足高速傳輸?shù)囊蟆?/p>

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圖7TT3304SP內(nèi)部電路示意圖

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表7 TT3304SP主要性能參數(shù)

實(shí)測(cè)TLP 曲線如下:

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圖8TT3304SP實(shí)測(cè)TLP曲線

TT0314TP

(8)如下圖9為TT0314TP保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表8為TT0314TP保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出,TT0314TP主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管陣列組成的,它具有4個(gè)通道數(shù),VRWM(最大連續(xù)工作的脈沖電壓)為3.3V,即反向電壓3.3V加于TT0314TP上時(shí),二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為4V,即25°C時(shí),所加的反向電壓在4V之前,保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通;VC@Ipp(鉗位電壓@脈沖電流)為8V@2.5A,即在流過的峰值電流為2.5A其兩端電壓可以鉗位在8V;Cj為0.6pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。該款產(chǎn)品是是一款DFN2510-10L的小封裝四路陣列型的ESD保護(hù)IC,最低容值達(dá)到0.6pf,可以滿足高速傳輸?shù)囊蟆?/p>

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圖9TT0314TP內(nèi)部電路示意圖

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表8 TT0314TP主要性能參數(shù)

實(shí)測(cè)TLP 曲線如下:

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圖10TT0314TP實(shí)測(cè)TLP曲線

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原文標(biāo)題:適用于監(jiān)控?cái)z像頭靜電保護(hù)的ESD(TVS)器件選型

文章出處:【微信號(hào):晶揚(yáng)電子,微信公眾號(hào):晶揚(yáng)電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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